Наличие - внешнее поле
Cтраница 1
Наличие внешнего поля не сказывается на вариациях энтропии, поэтому условие ( I. [1]
Наличие внешнего поля сказывается и на условиях механического равновесия системы. В общем виде это учитывается формулой ( I. Возьмем уравнение (1.43) ( для простоты ограничимся одной внешней силой Y и одной внешней координатой у) и проинтегрируем его по бесконечно тонкому слою, отвечающему постоянству внешней координаты. [2]
 |
Изменение потенциальной энергии на границе электронного ( я и дырочного ( р полупроводников при наличии внешнего поля. [3] |
При наличии внешнего поля энергия электронов в обоих полупроводниках изменяется. Если увеличение потенциала происходит от л-полупроводника к / - полупроводнику, то энергия электронов в - полупроводнике увеличится, а в - полупроводнике уменьшится. В результате, величина скачка потенциала на границе обоих полупроводников уменьшится ( рис. 136tf) и электроны смогут легко переходить из одного полупроводника в другой, через контакт потечет ток, сила которого будет быстро возрастать с увеличением разности потенциалов. [4]
При наличии внешнего поля с потенциалом Ф ( х, у, z) условия равновесия сводятся к постоянству в различных частях системы X. [5]
При наличии внешнего поля величина / явно зависит от времени. Предположим далее, что поляризация зависит от одних координат частиц г ( а) ( /), но не от их скоростей. Тогда величина (4.59) зависит только от обобщенных координат рассматриваемой системы ( в данном случае от координат частиц и потенциалов электромагнитного поля), но не от обобщенных скоростей. Таким образом, лагранжианы (4.50) - (4.52) и (4.56) - (4.58) оказываются физически эквивалентными. [6]
При наличии внешнего поля 36 суммарное поле, действующее на электрон, имеет аксиальную симметрию. Поэтому вырождение по m должно сниматься. [7]
При наличии внешнего поля в левой части уравнения (21.9) добавляется член F9 / / 9p, где F - сила, действующая на частицу. [8]
При наличии внешнего поля в левой стороне уравнения ( 21 9) добавляется член Fdf / dp, где F - сила действующая на частицу. [9]
При наличии внешнего поля самым энергетически выгодным направлением является ось легкого намагничивания, составляющая наименьший угол с направлением внешнего поля. [10]
При наличии внешнего поля Е появляется электрическая сила, стремящаяся передвинуть ионы в соседнее положение равновесия, В результате одновременного действия поля и теплового движения установится некоторое неравномерное распределение ионов - возникнет электрическая поляризация. [11]
При наличии внешнего поля go ( x - х) переходит в go ( - я) ехр ( - U ( x) / kT), где U ( x) - энергия звена во внешнем поле. [12]
При наличии внешнего поля движение электронов и дырок создает электрический ток. Диффузия дырок приведет также к тому, что дырочная область зарядится отрицательно, а электронная - положительно. Электроны и дырки в полупроводнике с электронно-дырочным переходом могут двигаться в прямом или обратном направлении. [13]
При наличии внешнего поля ( рис. 27 6) вероятность нахождения иона вблизи правой стенки станет больше; проводя рассуждения, аналогичные сделанным выше, мы получим такие же формулы. Существенное отличие будет лишь в том, что в данном случае время релаксации из-за отсутствия потенциального горба станет меньше, оно будет определяться просто частотой колебаний TO. [14]
При наличии внешнего поля Ув суммарное поле, действующее на электрон, имеет аксиальную симметрию. Поэтому вырождение по т должно сниматься. [15]
Страницы: 1 2 3 4