Наличие - внешнее поле
Cтраница 2
При наличии классического внешнего поля нулевые колебания плотности заряда и тока взаимодействуют с этим полем. В этом случае возможно явление типа параметрического резонанса. Перестройка нулевых колебаний под воздействием внешнего поля приводит к тому, что средние по вакууму от операторов, записанных в нормальной форме при отсутствии внешнего поля, становятся отличными от нуля при его включении. Для того чтобы обратить эти средние значения в нуль, требуется ввести новую нормальную форму, учитывающую изменение вида нулевых колебаний. [16]
Поскольку при наличии переменного внешнего поля возникает состояние, которое не является стационарным, то мы должны использовать для вывода уравнения для потенциалов нестационарную форму уравнения непрерывности: [ ( 39) гл. [17]
Поскольку при наличии переменного внешнего поля возникает состояние, которое не является стационарным, то мы должны использовать для вывода уравнения для потенциалов нестационарную форму уравнения непрерывности [ ( 39) гл. [18]
Тела заряжаются при наличии внешнего поля. [19]
Показать, что при наличии внешнего поля стационарным решением уравнения Больцмана является распределение Максвелла - Больцмана. [20]
 |
Понижение потенциального барьера металла под действием внешнего поля по Шоттки. [21] |
Другими словами, при наличии внешнего поля работа выхода электрона должна быть меньше. [22]
Показать, что при наличии внешнего поля U ( г) стационарным решением кинетического уравнения Больцмана является функция распределения Максвелла - Больцмана. [23]
Показать, что при наличии внешнего поля V ( г) стационарным решением кинетического уравнения Больцмана является функция распределения Максвелла - Больцмана. [24]
Дело в том, что наличие внешнего поля Я0, параллельного ОЛН, не может привести непосредственно к повороту М в плоскости ДГ, возникающего при движении стенки, что объясняется гироскопическими свойствами магнитных моментов электронов, Однако с наличием этого поля связан вращательный момент [ М X Н0 ], который поворачивает М вдоль нормали п к плоскости ДГ, направленной в сторону движения стенки. Существенно, что эти повороты неоднородны вдоль оси х, направленной параллельно п, так что при наличии 180-градусной ДГони сосредоточены только в ее пределах. Это означает также, что если при переходе через покоящуюся ДГ М описывает поверхность кругового конуса, то при наличии поля Н0 Ф О, смещающего ДГ, появляются искажения кругового сечения этого конуса. [25]
В обоих случаях часто неявно предполагается наличие внешнего поля. Мессбауэров-ские эксперименты обычно выполняются в отсутствие такого поля, и спиновая система тогда представляет собой совокупность уровней кристаллического поля ( в различной степени возмущенных локальными полями), которые обсуждались в разд. Из этого следует, что спиновая система означает общую совокупность ионных уровней, хотя они могут не точно соответствовать зеема-новским уровням. [26]
Вычислим среднее оптического тензора поляризуемости при наличии внешнего поля. [27]
Полученные выше результаты справедливы и при наличии постоянного внешнего поля, если это поле не нарушает равновесного характера состояния системы. При рассмотрении ван-дер-ваальсова взаимодействия в присутствии внешнего поля, в формуле (2.135) можно по-прежнему с хорошей точностью ограничиться рассмотрением одного квадратичного по константе взаимодействия слагаемого. [28]
При этом следует иметь в виду, что наличие внешнего поля, напряженность которого недостаточна для осуществления холодной эмиссии, несколько уменьшает энергию выхода электрона из металла и тем самым способствует осуществлению других видов ионизации на поверхности. [29]
В некоторых кристаллах наблюдается спонтанная, даже без наличия внешнего поля, поляризация, направление которой меняется лишь под действием внешнего поля. Сегнетоэлектрики отличаются от обычных диэлектриков тем, что у них поляризация с изменением поля меняется нелинейно. Их спонтанная поляризация ( при температуре ниже так называемой температуры Кюри) обусловлена упорядоченными смещениями ионной решетки. К числу типичных сегнетоэлектриков относится сегнетова соль ( тартрат натрия-калия) и титанат бария. В ВаТЮ3, например, ионы Ti4 и Ва2 смещены относительно ионов кислорода. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов зависят от структуры и наличия в решетке определенных функциональных групп или определенного ионного окружения; проявление подобных свойств возможно лишь при некоторых типах симметрии решетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4