Cтраница 1
Наличие токов утечки, несмотря на их незначительную величину ( для ряда транзисторов она может достигать / з 0 05 на), вызывает разбаланс напряжения на выходе модулятора в отсутствие сигнала на входе. [1]
![]() |
График тока при Р / ут. / / у - Дз. [2] |
Наличие тока утечки приводит к преобразованию электрической энергии в тепловую. [3]
Наличие токов утечки в момент взрыва, их источник и пути прохождения установить невозможно. [4]
Из-за наличия токов утечки и переполюсовок выходное напряжение батареи ТЭ не равно сумме напряжений, которое бы имели ТЭ при работе вне батареи. [5]
Остается предположить, что наличие тока утечки связано с умножением носителей в сильном поле перехода. В основной части перехода, удаленной от поверхности, умножение может быть ничтожным и не вызывает обычно появления токов утечки. Однако в той части, где электронно-дырочный переход выходит на поверхность ( рис. XIV.6), условия могут отличаться от условий в объеме. [6]
Измерения малоинтенсивных излучений затруднены наличием токов утечки, флуктуации, ионизации, фона. [7]
Это объясняется, во-первых, наличием тока утечки, распространяющегося непосредственно по поверхности полупроводника и возникающего вследствие появления электронной или ионной проводимости по окисной пленке или по адсорбированной пленке влаги. Во-вторых, при высокой концентрации поверхностных состояний обратный ток может увеличиться за счет тока по поверхностной зоне. И наконец, обратный ток значительно возрастает при появлении на поверхности каналов проводимости, образованных инверсионными слоями на n - области перехода, которые смыкаются с р-областью. В этом случае значительно увеличивается и площадь / 7-п-перехода. [8]
Появление термоэмиссии в результате повышения температуры сеток иногда вызывается наличием токов утечки между сеткой и другими электродами, уменьшающих напряжение смещения на сетке, что приводит к увеличению мощности, рассеиваемой в лампе, и к дополнительному разогреву сетки. [9]
Отклонение от точной квадратичной зависимости, по-видимому, также связано с наличием тока утечки. [10]
Отклонение от точной квадратичной зависимости, по-видимому, также связано с наличием тока утечки. [11]
![]() |
Структура тиристора, изготовленного методом диффузии. [12] |
Таким образом увеличение / ш позволяет компенсировать уменьшение напряжения включения за счет наличия токов утечки коллектора и роста / КБО с температурой. [13]
Основная проблема, препятствующая снижению мощности потребления транзисторными схемами, состоит в наличии токов утечки и уменьшении коэффициента усиления транзисторов при малых рабочих токах, а также наличии паразитных емкостей. [14]
Сушка обмоток ВН на 35 кв и выше необходима, так как в противном случае вследствие наличия токов утечки проверка числа витков оказывается практически невозможной. [15]