Наличие - ток - утечка
Cтраница 4
Интегральные диоды представляют собой многослойные структуры, характеристики которых определяются схемой включения транзисторной структуры. Определенное влияние оказывают паразитные транзисторы, которые образуются из-за взаимодействия рабочих слоев с подложкой ИМС. В частности, ток утечки диода в подложку определяется током коллектора паразитного транзистора. Из-за наличия тока утечки входной ток интегрального диода всегда отличается от выходного тока. Быстродействие интегрального диода, определяемое зарядными емкостями переходов и временем рассасывания, также зависит от схемы включения. [46]
Выделение теплоты происходит вследствие сопротивления проводников прохождению по ним тока. В токоведущйх и нетоковеду-щих металлических частях, если они находятся в переменном магнитном поле, возникают вихревые токи, также вызывающие выделение теплоты. В магнитных материалах, кроме того, происходит выделение теплоты вследствие явления гистерезиса. В изоляции, находящейся под напряжением, происходит превращение некоторой части электроэнергии в теплоту из-за наличия токов утечки в изоляции. [47]
 |
Разомкнутые устройства выборки и запоминания напряжений. [48] |
Различают разомкнутые и замкнутые устройства выборки и запоминания ( УВЗ) напряжений конденсаторного типа. В первом случае ( рис. 6.13 а), когда ключ замкнут, напряжение на конденсаторе С равно напряжению на входе устройства. Этот режим называют режимом записи, или слежения. При размыкании ключа устройства переходит в режиме хранения, в котором напряжение на конденсаторе медленно изменяется из-за наличия токов утечки его, ключа и нагрузки. [49]
Если напряжение t / i соответствует единичному уровню, то транзистор Г2 открыт, и если при этом на сток транзистора Г2 подается отрицательный сигнал, то напряжение на выходе схемы ( исток транзистора Т2) повышается. При определенных условиях это обеспечивает повышение напряжения на выходе схемы до i / c, однако длительность фронта выходного сигнала оказывается значительно большей, чем в схеме с емкостной связью между затвором и стоком. Поскольку в данной схеме изменение напряжения на затворе транзистора Т2 происходит лишь при открытом транзисторе, то в качестве ускоряющего может быть использован конденсатор с постоянной емкостью. Следует отметить, что в обеих схемах повышенные уровни напряжений на затворе и истоке транзистора TZ сохраняются лишь ограниченное время. Наличие токов утечки ( приводит к тому, что заряд, накопленный на конденсаторе Су, стекает за время, не превышающее единиц миллисекунд. [50]
Страницы: 1 2 3 4