Cтраница 2
Наши выводы относительно связи между характером изменений потенциальной энергии и устойчивостью состояния равновесия справедливы только для систем, в которых отсутствуют силы трения. Силы трения, в частности, наличие падающего участка на характеристике трения, могут сделать неустойчивыми и такие состояния равновесия, которым соответствует минимум потенциальной энергии. [16]
В области техники радиоприема сотрудниками Нижегородской радиолаборатории был сделан ряд ценных открытий, большое значение которых выявилось только в последнее время. Сотрудник лаборатории О. В. Лосев в 1923 году установил наличие падающего участка в вольтамперной характеристике контактных пар некоторых полупроводников с металлом и сконструировал первый кристаллический усилитель и первый кристаллический генератор. В последнее время открытие О. В. Лосева применяется для конструирования кристаллических усилителей переменных напряжений. В настоящее время подобного рода схемы очень широко используются для усиления на ультракоротких волнах. [17]
Во многих механических системах автоколебательные свойства являются следствием особенностей соответствующих характеристик трения и в первую очередь наличия падающего участка характеристики. Такие автоколебания часто называют фрикционными. [18]
Кроме электрических обратных связей в оптопарах могут быть применены обратные связи, включающие в себя оптическую систему. Электронное устройство с такой положительной обратной связью ( с регенерацией сигнала) обладает ВАХ с падающим участком, на котором дифференциальное сопротивление устройства отрицательно. Наличие падающего участка, в свою очередь, говорит о возможности усиливать, генерировать и запоминать информацию. Примеры подобных схем приведены на рис. 5 - 17, б, в. [19]
Рассмотренные выше явления можно объяснить, предполагая, что сила трения по величине не зависит от скорости скольжения, но направлена навстречу скольжению. В действительности, как уже было указано, сила трения скольжения часто вначале падает при увеличении скорости скольжения. Наличие падающего участка в характеристике трения может быть причиной также очень своеобразного явления. [20]
Обратимся к рис. 4; ясно что напряжение t / кбт приложено к делителю напряжения, состоящему из емкости Ci и входной проводимости транзистора с общей базой Уиов. Иными словами Ci и Fn06 образуют нелинейный последовательный контур, а зависимость по типу рис. 3 6 характерна для такого рода цепей. В лампе обычно считают входную проводимость с общей сеткой чисто активной, и аналогичная зависимость получается только при наличии падающего участка в колебательной характеристике. [21]
Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод носит название динатронного эффекта. В тетроде этот эффект приводит к появлению падающего участка А Б, на анодной характеристике. Поскольку вторичная эмиссия электронов из анода зависит от ряда случайных факторов, характеристики тетрода на падающем участке нестабильны. Наличие падающего участка на анодной характеристике может привести к искажениям при усилении и самопроизвольной генерации колебаний. Поэтому динатронный эффект является существенным недостатком тетрода. [22]
При наложении на р - л-переход туннельного диода обратного напряжения возрастает вероятность перехода электронов слева направо и уменьшается вероятность перехода их справа налево. Результатом этого является резкое нарастание обратного тока. Таким образом, туннельный диод не обладает свойством односторонней проводимости, более того, его сопротивление в обратном направлении меньше, чем сопротивление в прямом направлении. Полная вольтамперная характеристика туннельного диода дана на рис. 5.41. Наличие падающего участка вольтамперной характеристики ( участка отрицательного сопротивления) дает возможность использовать его для усиления и генерирования колебаний. [23]
Регенеративное усиление обусловлено отрицательным активным сопротивлением, которое вносится в колебательную цепь усилителя сигналов. В результате активные потери в контуре уменьшаются, добротность колебательной системы возрастает и таким образом обеспечивается значительное усиление. Понятие отрицательного входного сопротивления уже встречалось при рассмотрении вопро-еа об устойчивости резонансного усилителя ( § 3.6), однако в том случае появление отрицательного сопротивления было обусловлено положительной обратной связью. В усилителе на ТД регенерация обусловлена особенностью вольт-амперных характеристик ТД, которая отличается от характеристики обычного полупроводникового диода наличием падающего участка ( фиг. [24]