Наличие - структурный дефект
Cтраница 1
Наличие структурных дефектов сказывается не только на физических свойствах, но и на химической активности веществ. Так, от концентрации и рода дефектов зависят скорость реакции термического разложения, каталитические и многие другие свойства. Следовательно, примеси играют чрезвычайно важную роль в формировании физико-химических характеристик продуктов. [1]
Наличие структурных дефектов в полимерных цепях, таких, например, как третичные атомы углерода или концевые двойные связи, благоприятствуют деструкции. Наилучшей термостабильностью отличается хлорированный продукт, полученный из ПВХ с достаточно большой молекулярной массой и максимальной стереорегулярностью при условии непрерывного удаления хлористого водорода, образующегося при хлорировании. Вторичная конденсация ( сшивание) плоских молекул приводит к образованию разупорядоченных кристаллитов графитоподобной структуры. [2]
Наличие структурных дефектов приводит в свою очередь к ухудшению свойств кристалла, например к уменьшению времени жизни и подвижности неосновных носителей заряда. Приборы, изготовленные из такого кристалла, будут иметь значительно меньший коэффициент передачи тока. Поэтому наиболее благоприятной является плоская поверхность раздела ( рис. 2.2 6), исключающая появление внутренних напряжений. Ввиду того что на поверхности раздела концентрация примеси постоянна, сохранение плоского фронта кристаллизации существенно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении кристалла. [3]
Наблюдаемый характер разрушения объясняется наличием структурных дефектов покрытий, таких, как металлический титан в покрытии TIN и поры, выполняющих роль концентраторов напряжений, снижающих сопротивляемость модифицированных слоев коррозионно-механическому изнашиванию. В процессе прерывистого резания образование сетки микротрещин может привести и к разрушению материала основы за счет отрыва частиц покрытия в местах их прочных связей с твердым сплавом. Трещиностойкость износостойкого комплекса покрытие-основа зависит от релаксационных свойств тугоплавких фаз, входящих в его состав. [4]
Наблюдаемый характер разрушения объясняется наличием структурных дефектов покрытий, таких, как металлический титан в покрытии TiN и поры, выполняющих роль концентраторов напряжений, снижающих сопротивляемость модифицированных слоев коррозионно-механическому изнашиванию. В процессе прерывистого резания образование сетки микротрещин может привести и к разрушению материала основы за счет отрыва частиц покрытия в местах их прочных связей с твердым сплавом. Трещиностойкость износостойкого комплекса покрытие-основа зависит от релаксационных свойств тугоплавких фаз, входящих в его состав. [5]
Хрупкое разрушение сплавов TiC-Ni-Mo происходит в местах наличия структурных дефектов, расположение и размеры которых оказывают существенное. [6]
Иногда взрыв, сопровождающийся раздавливанием, является результатом наличия структурных дефектов в стекле, из которого собрана установка, работающая под вакуумом. [7]
Теоретическая прочность ( сопротивление разрыву межатомных связей) в реальных кристаллах из-за наличия структурных дефектов не достигается. Реальная прочность на два-три порядка ниже теоретической и определяется не столько межатомными силами связи, сколько структурой материала. [8]
Ранее нами было установлено [2], что при подобных способах получения слоев полупроводников весьма важным фактором, определяющим наличие структурных дефектов ( в основном напряжений и дислокаций), является различие в коэффициентах термического расширения слоя и подложки. Были проведены оценки возникающих напряжений и плотностей дислокаций в слоях кремния на различных подложках и проведено экспериментальное исследование распределения плотности дислокаций по толщине и площади слоев. [9]
Промежуточный слой из смеси УДП двух металлов, способных взаимодействовать друг с другом, наряду с избыточной свободной энергией, обусловленной развитой поверхностью составляющих ее дисперсных частиц и наличием структурных дефектов, обладает избыточной энергией, связанной с возможностью образования сплава. Поэтому при спекании двухкомпонентных порошковых промежуточных слоев - бинарных смесей УДП - должны протекать, в сущности, два процесса: их объемная усадка и формирование сплава. [10]
Исключая определенные типы точечных диодов, в этих приборах широко применяются полупроводниковые материалы поликристаллическо структуры, которая отличается сильным несовершенством. Связанное с наличием структурных дефектов большое количество дополнительных уровней внутри запрещенной зоны, а также сильное влияние поверхностных явлений ( см. стр. От этих недостатков в значительной мере свободны полупроводниковые диоды с плоскостными р-п переходами. [12]
Структурные дефекты потому приобрели в кристаллохимии столь важную роль, что их наличие резко повышает подвижность частиц в кристалле. В связи с этим по сравнению со случаями полной упорядоченности при наличии структурных дефектов облегчаются как диффузия, так и протекание химических реакций в твердом состоянии. [13]
Как уже отмечалось, цепочки ДНК плотно намотаны на нуклео-сомы, диски которых обладают определенной подвижностью - их перемещения по спирали напоминают движения штопора. И вновь необходимо оговориться, что в действительности все устроено гораздо сложнее, хотя бы из-за наличия структурных дефектов, перемещающихся при любых взаимодействиях. [14]
Наиболее полная и последовательная теория катализа на полупроводниках была предложена Волькенштейном. Правда, теория Воль-кенштейна не позволяет еще ни точно предсказать все каталитические свойства полупроводников, ни выбрать a priori подходящий катализатор для данной конкретной реакции, но вообще сомнительно, чтобы подобную задачу сейчас могла решить какая-либо теория. Действительно, полупроводники являются сложными системами, свойства и электронная структура которых зависят от незначительных модификаций химического состава и наличия структурных дефектов, возникающих в процессе предварительной обработки данного образца. Поэтому вполне возможно, что полупроводники, почти идентичные по составу, будут сильно отличаться по свойствам. [15]
Страницы: 1 2