Наличие - структурный дефект
Cтраница 2
Механизмы роста идеальных кристаллов путем образования двумерных зародышей или роста кристаллов в результате незарастающих ступенек, создаваемых на поверхности винтовыми дислокациями, хотя и присущи росту реальных кристаллов, но лишь в специальных условиях обусловливают скорость и особенности их роста. Действительно, в реальных условиях роста, где имеют место значительные колебания температуры и концентраций частиц питающей фазы в различных точках растущей грани, следует считать, что эта последняя всегда характеризуется шероховатостью. Шероховатость на идеально ориентированной естественно гладкой грани возникает за короткое время после начала роста вследствие колебаний внешних условий, так как вероятность образования двумерных зародышей имеет разное значение в различных точках поверхности и постоянно меняется во времени. Наличие почти неизбежных структурных дефектов еще более усугубляет влияние колебаний внешних условий. [16]
Из рассмотренного ясно, что для улучшения чистоты поверхности при получении монокрис-таллпческих пленок Si при пониженных температурах необходим высокий вакуум. Нанничи [145] показал, что монокристал-лическпе пленки Si при толщинах до нескольких микрон могут быть получены при Тп, равной 830 С и вакууме 10 - s - 10 - 9 мм. Он получил температуру эпитаксим, равную 550 С, которая значительно ниже, чем в случаях, рассмотренных ранее. Это указывает на то, что при проведении экспериментов в условиях глубокого вакуума, наличие структурных дефектов можно объяснить недостаточно высоким вакуумом. При пониженных температурах, образование монокристаллических пленок связано с наличием структурных дефектов, таких, как дефекты упаковки и дислокации. [18]
Имеются доказательства, что при пластической деформации атомы цинка концентрируются преимущественно у границ зерен. Различия в составе приводят к электрохимическому взаимодействию таких участков с зернами. По этой причине в ряде агрессивных сред небольшая межкристаллитная коррозия может происходить и без приложенного напряжения. Однако участки пластической деформации при определенных значениях потенциала могут способствовать адсорбции комплексных ионов аммония, что в свою очередь приводит к быстрому образованию трещин. По-видимому, выделение цинка на границах зерен является существенной причиной наблюдаемой межкристаллитной коррозии латуней; в то же время наличие структурных дефектов в области границ зерен или линий скольжения играет большую роль в протекании КРН. [19]
Из рассмотренного ясно, что для улучшения чистоты поверхности при получении монокрис-таллпческих пленок Si при пониженных температурах необходим высокий вакуум. Нанничи [145] показал, что монокристал-лическпе пленки Si при толщинах до нескольких микрон могут быть получены при Тп, равной 830 С и вакууме 10 - s - 10 - 9 мм. Он получил температуру эпитаксим, равную 550 С, которая значительно ниже, чем в случаях, рассмотренных ранее. Это указывает на то, что при проведении экспериментов в условиях глубокого вакуума, наличие структурных дефектов можно объяснить недостаточно высоким вакуумом. При пониженных температурах, образование монокристаллических пленок связано с наличием структурных дефектов, таких, как дефекты упаковки и дислокации. [21]
При таком подходе к подготовке лекции вырабатывается педагогически вредная привычка - рассказывать студентам по программе от и до. Преподаватель начинает очередную лекцию словами: Мы с вами остановились... Получается этакая непрерывка в передаче знаний. Организационно это называется пара, а по содержанию - перманентный пересказ программы. Такой подход к чтению лекций еще бытует. Далее идет рассказ: В этом параграфе остановимся на методах контроля непосредственно полупроводниковых материалов... В первую очередь имеется в виду наличие структурных дефектов, двойников, мозаичной структуры, трещин, дислокаций г. ЧИяи лекции де-физике на втором курсе было сообщено вначале занятия: Запишите подпункты: а) лучеиспускательная и б) поглощательная способность. [22]
Страницы: 1 2