Cтраница 3
Таким образом, при возбуждении монохроматическим источником света наложений линий флуоресценции других атомов на аналитическую линию, можно практически не опасаться, по крайней мере для элементов с относительно простыми спектрами. Наоборот, при возбуждении источником сплошного спектра, который одновременно возбуждает большое число уровней различных атомов, с возможностью такого рода наложений всегда следует считаться. [31]
Желательно, чтобы стандарты имели нечетные массы во избежание наложения линий многозарядных ионов на основные линии изотопов примесей определяемых элементов. [32]
Истинная вращательная структура каждой из колебательных полос, являясь наложением линий трех ветвей ( Р, Q и R), достаточно сложна для расшифровки. [33]
При этом меняется расстояние LH, в пределах которого производится наложение линий / и и / шах. [34]
При определении малых концентраций гафния в цирконии, чтобы избежать наложения линий циркония на чувствительные линии гафния, используют [57] то обстоятельство, что аналитические линии гафния и накладывающиеся на них линии циркония имеют различные потенциалы возбуждения: 11 3 кв для гафния и 18 кв - для циркония. Поэтому при напряжении, меньшем или близком к потенциалу возбуждения линий циркония, удается устранить появление этих линий или значительно ослабить их. [35]
Анализ приведенных в этой таблице данных показывает, что учет наложения линии железа на аналитическую линию гадолиния приводит к повышению точности результатов определения. [36]
Измеряемая на опыте ширина резонансной линии Га сп - результат наложения линий источника и поглотителя. Увеличение толщины поглотителя заметно уширяет резонансную линию. Это объясняется тем, что кванты, энергия которых лежит вблизи максимума линии, сильно поглощаются уже в тонком поглотителе в для них увеличение толщины поглотителя сказывается слабее. Уширение линии может происходить и вследствие самопоглощения квантов в источнике, ели в нем содержатся резонансно-поглощающие ядра. [37]
Как следует из этих кривых, спектр излучения лампы представляет собой наложение линий и сплошного фона. Фон выражен особенно сильно в видимой и ультрафиолетовой частях спектра. В области 0 8 - 1 0 мкм излучаются сильные линии ксенона. [38]
Таким образом, линию влияния изгибающего момента Мк строят или путем наложения линий влияния М ц и Нук ( рис. IV.6, в), или путем вычисления ординат линии влияния в точках перелома по формуле ( IV. [39]
При учете наложений, разумеется, необходимо считаться не только с наложением линий, но и с наложением молекулярных полос, которые зачастую присутствуют в спектре. [40]
Большая дисперсия прибора дает возможность работать с более широкими щелями, исключает наложение линий, создает удобство в работе. Для характеристики дисперсии прибора пользуются угловой и линейной дисперсией. [41]
Поскольку рентгеновские спектры значительно проще оптических, ошибок в анализе за счет наложения линий не приходится опасаться. Однако на интенсивность аналитических сигналов влияет состав пробы, ее однородность, степень зернения и поглощение излучения элементами-спутниками. [42]
![]() |
Рентгеновский спектр ниобия и тантала. [43] |
Для достижения большей эффективности возбуждения линий тантала, уменьшения фона и ликвидации наложений линий анода на спектр вольфрамовый анод был ими заменен молибденовым. [44]
Явление экранирования про - Рис 2 2 Р елеяие исходит в результате наложения линий тока параллельно электрических полей при расте - включенных заземли-кании тока замыкания в землю. [45]