Наложение - поле
Cтраница 1
Наложение поля тех (, отвечающее росту е, приводит, как видно из рис. 54, к укорочению горизонтального дерева, что способствует мартенситному превращению. [1]
Наложение поля смещает относительное положение уровней Ферми соседних частиц и вероятность туннельного эффекта увеличивает возможность перехода заряда от островка к островку в направлении поля и уменьшает соответствующее количество в зависимости от направления поля. [2]
 |
Уровни Се, рас - лось спин - 0рбитальное взаимодействие. [3] |
Наложение поля расщепляет дублет на два состояния с противоположным направлением проекций спинов. [4]
Наложение поля на ЭЛК создает условия для его формовки. Суть последней заключается в том, что ток, идущий через ЭЛК, падает, а яркость свечения увеличивается. Экспериментальные данные показывают, что при этом происходит обеднение медью слоя, расположенного вблизи положительного электрода. [5]
 |
Зависимость ft ( / при различных Я для da 2. [6] |
Наложение поля, как и введение инертного газа, приводит к увеличению продолжительности существования дуги во всей исследованной области токов. [7]
Наложение поля на ЭЛК создает условия для его формовки. [8]
 |
Влияние отрицательного объемного заряда. [9] |
Наложение поля объемного заряда, тормозящего электроны, на поле анода дает результирующее поле между электродами, распределение потенциалов в котором при неизменном ыа определяется распределением плотности объемного заряда. [10]
 |
Механизм переориентировки диполей в результате перераспределения атомов К между позициями / и 2. [11] |
С наложением поля вдоль особой оси некоторые домены окажутся ориентированными вдоль поля, другие - против поля. С ослаблением поля Е тепловое движение перебрасывает все большую часть ионов К из положения 2 в положение 1, уменьшая поляризацию. Это значит, что для перехода 1 - 2 или 2 - 1 надо преодолеть потенциальный барьер-энергию активации. [12]
При наложении поля занятые состояния смещаются вправо, как показано на фиг. [13]
При наложении поля каждый из них расщепляется на два синглета, так что появляется шесть уровней. Таким образом, следует ожидать расщепления каждого из пяти пиков на шесть сверхтонких компонент. [14]
При наложении поля ( рис. 308а, б) барьер понижается, электроны начинают свое движение вправо на нашем чертеже, а дырки влево. В пограничном слое создаются благоприятные условия для рекомбинации всех четырех типов. Энергия образующихся фотонов, грубо говоря, равна зазору между полосами. [15]
Страницы: 1 2 3 4