Наложение - магнитное поле
Cтраница 2
Наложение магнитного поля на турбулентный поток проводящей жидкости приводит к гашению турбулентности и постепенному ( по мере увеличения магнитного поля) переходу от турбулентного режима течения к ламинарному. [16]
При наложении магнитного поля ( 0 В Вкр) на электроны начинает действовать сила Лоренца и их траектории становятся криволинейными. Из формулы ( 2) следует, что при увеличении индукции В магнитного поля радиус кри-визны траектории электронов уменьшается. [17]
При наложении магнитного поля происходит дальнейшая дифференциация на nil энергетических состояний - атомных орбиталей, имеющих более тонкое различие по энергиям. Магнитное квантовое число mi способно принимать ( 2 / 1) значение из-за разной ориентации атомных орбиталей в магнитном поле. Атомные орбитали электронов с одинаковыми значениями п, I и mi и отличающиеся только спином ms совершенно идентичны как по форме, так и по пространственному расположению. Другими словами, у них совпадает распределение электронной плотности, и они сливаются в одно электронное облако. [18]
При наложении магнитного поля это вырождение снимается. В состоянии с низшей энергией магнитный момент ориентирован по полю, что соответствует ms - 1 / 2, тогда как в состоянии с более высокой энергией ms / 2 и магнитный момент направлен противоположно полю. В спектрах ЭПР и ЯМР имеется некоторое сходство, которое поможет нам понять основы ЭПР. В ЯМР два различных энергетических состояния возникают вследствие различной ориентации ядерных магнитных моментов относительно наложенного поля и переход Между ними происходил при наложении радиочастотного поля соответствующей частоты. В ЭПР переход между двумя различными энергетическими состояниями, различающимися ориентацией электронного спинового момента, происходит при поглощении кванта излучения в радиочастотной или микроволновой области. [19]
При наложении магнитного поля вырождение снимается. [20]
При наложении магнитного поля происходит агломерация частиц фосфоритового концентрата, адсорбированных на хлопьях гидроксида железа. Эффективность агломерации частиц увеличивается с повышением напряженности магнитного поля. [21]
При наложении магнитного поля в неотвержденной клеевой пленке образуются пучки из частиц электропроводящего наполнителя, ориентированные в направлении поля. [22]
При наложении магнитного поля в данном случае снимается правило, требующее Л / 0, вследствие чего становится возможным процесс предиссоциации. [23]
При наложении магнитного поля в направлении, параллельном вектору напряженности, наблюдаются две линии поглощения, сдвинутые в сторону больших и меньших частот симметрично по обе стороны относительно положения первоначальной спектральной линии на величину Av. Величина сдвига определяется соотношением Лоренца (22.8), как и в случае нормального эффекта Зеемана, причем Av растет пропорционально напряженности магнитного поля Я. Интенсивность поглощения зависит от характера поляризации падающего света. [24]
При наложении магнитного поля на полупроводник его сопротивление возрастает, поэтому поглощение свободными носителями заряда уменьшается. [25]
 |
Схема энергетических уровней атома гелия, показывающая зависимость энергии от симметрии волновой функции. [26] |
При наложении магнитного поля, как и в случае одного электрона, каждое триплетное состояние должно расщепиться, но теперь уже на три состояния. Поэтому состояния такого типа могут быть определены спектроскопическими методами. [27]
При наложении магнитного поля Я на размагниченный образец в направлении поля возникает результирующая намагниченность I. [28]
 |
Отсутствие точной корреляции колебательных энергетических уровней при обмене протоном между состояниями А и В. [29] |
При наложении магнитного поля в 10 000 гаусс разница в энергиях hv уровней протонов с противоположными спинами соответствует резонансной частоте, примерно равной 40 - 10 сек. Точная величина резонансной частоты несколько различается в местах расположения частиц А и В, поскольку эффективная величина магнитного поля в этих местах связана не только с постоянным внешним полем, но с небольшими специфическими добавочными полями, образующимися вокруг микроскопических частиц. [30]
Страницы: 1 2 3 4