Наложение - магнитное поле
Cтраница 3
 |
Электронные спектры иоглощев. [31] |
При наложении магнитного поля снимается вырождение спиновых состояний и уровни, отвечающие двум значениям тп расщепляются. [32]
 |
Происхождение спектра ЭПР ( а и сигнал ЭПР ( б ( производная от интенсивности поглощения по 5 в радикале с одним атомом, имеющим магнитный момент ядра / / 2. [33] |
При наложении магнитного поля снимается вырождение спиновых состояний и уровни, отвечающие двум значениям ms, расщепляются. [34]
 |
Электронные спектры иоглощев. [35] |
При наложении магнитного поля снимается вырождение спиновых состояний и уровни, отвечающие двум значениям тп расщепляются. [36]
При наложении магнитного поля в данном случае снимается правило, требующее А / 0, вследствие чего становится возможным процесс предиссоциации. [37]
 |
Электронные спектры иоглощев. [38] |
При наложении магнитного поля снимается вырождение спиновых состояний и уровни, отвечающие двум значениям тп расщепляются. [39]
При наложении магнитного поля в массе воды формируются центры кристаллизации, вследствие чего выделение накипе-образователей происходит не на теплопередающей поверхности нагрева или охлаждения, а в объеме воды с образованием вместо твердой накипи мигрирующего тонкодисперсного шлама, легко удаляемого с поверхности теплообменников и трубопроводов. Вода в магнитных аппаратах должна двигаться перпендикулярно магнитным силовым линиям. [40]
 |
Схема процесса адиабатного размагничивания. [41] |
При наложении магнитного поля тепло намагничивания передается через теплообменный газ в ванну с жидким гелием, вызывая его испарение. Температура образца при этом не меняется. Затем теплообменный газ удаляется, образец адиабатически изолируется. Снятие магнитного поля ведет к понижению температуры. Наинизшая температура, достигнутая на основе данной схемы, составляет порядка 0 001е К. [42]
При наложении магнитного поля эта скорость складывается с некоторой средней скоростью пробега электронов и. [43]
При наложении магнитного поля можно значительно уменьшить флуктуации температур на фронте кристаллизации и предотвратить возникновение слоистости. Флуктуации вызываются значительными градиентами температур в затравке и в растущем кристалле, которые способствуют возникновению конвективных потоков в слое жидкой фазы, примыкающем к фронту. Флуктуации температуры увеличиваются с возрастанием поверхностного натяжения между расплавом и затравкой. [44]
При наложении магнитного поля, увеличивающего длину пробега электронов при их движении по направлению к аноду, вероятность ионизации атомов аргона электронами повышается. [45]
Страницы: 1 2 3 4