Наложение - внешнее поле
Cтраница 1
Наложение внешнего поля ( / / ф 0) снимает вырождение резонансных частот, и их расщепление приводит к следующей записи условия резонанса. [1]
Наложение внешнего поля приводит к смещению собственной линии дисперсии в область более высоких частот с одновременным уменьшением ширины линии. При этом источником потерь в области слабых полей становится спиновый резонанс. [2]
Наложение внешнего поля либо несколько затрудняет вращение, либо слегка ускоряет его в зависимости от направления вращения по отношению к вектору поля. [3]
Поскольку наложение внешнего поля, как и любое возмущение, смешивает волновые функции основного И возбужденного состояний [49], перенос заряда при наложении внешнего поля до некоторой степени аналогичен переносу заряда при возбуждении. Однако, как уже говорилось ранее, эта аналогия теряется при рассмотрении двухзонной модели. Поэтому мысль о необходимости учета перераспределения зарядов при возбуждении не была высказана ни в одной работе, посвященной двухзонной модели. [4]
При наложении внешнего поля, например при течении коллоидного раствора вдоль твердой поверхности, частицы палочкообразной формы ориентируются своими продольными осями, а пластинчатые частицы - плоскостями вдоль потока. Вследствие такой упорядоченной ориентации частиц система становится оптически неравноценной в различных направлениях. Например, наибольшее рассеяние поляризованного света достигается при определенном направлении поляризованного падающего луча. С этим связано явление мерцания частиц несферической формы при их ориентации во вращающемся потоке. [5]
 |
Зависимость молярной н-амапшчмшости монокристалла МпСО., от внешнего поля Н ( в.. э, приложенного вдоль главной оси Z ( т и перпендикулярно ей (. н при Т 4 2 К. [6] |
При наложении внешнего поля Н в ( 3) должен быть добавлен член - тН, определяющий магн. [7]
При наложении внешнего поля ионы в зависимости от знака их заряда преимущественно перемещаются в направлении одного из электродов. [8]
 |
Элементарная ячейка кристалла хлористого цезия CsCl. [9] |
При наложении внешнего поля на каждую из простых решеток начинают действовать противоположно направленные силы. Этот тип поляризации называют поляризацией ионного смещения или просто ионной поляризацией. [10]
При наложении внешнего поля Н частота ujs ( H) становится отличной от нуля и в этих точках. [11]
При наложении внешнего поля часть атомов области 2, в которой намагниченность перпендикулярна к полю, на границе ее с областью /, в которой намагниченность параллельна полю, поворачивается, так что направление их магнитного момента становится параллельным полю. В результате область 1, намагниченная параллельно внешнему полю, расширяется за счет тех областей, в которых направление намагниченности образует большие углы с направлением поля, и возникает преимущественное намагничивание тела по направлению внешнего пол я. В очень сильных внешних полях возможны и повороты направления ориентации всех атомов в пределах целой области. [13]
 |
Сгема кристаллического триода. [14] |
При наложении внешнего поля в прямом направлении движение дырок п электронов приводит к уменьшению толщины запирающего поля, при обратном направлении напряжения-к увеличению этой толщины. Было также показано, что на этот эффект накладывается увеличение проводимости запирающего слоя вследствие туннельного эффекта. Эти выводы подтверждены также исследованием поведения германиевых детекторов, подвергнутых специальной обработке. [15]
Страницы: 1 2 3 4