Наложение - внешнее поле
Cтраница 3
 |
Перекрытие зон в двухвалент - [ IMAGE ] Зона Бриллюэ. [31] |
Если какая-либо из зон Бриллюэна заполнена не до конца, то при наложении внешнего поля появляется ток, причем проводимость будет велика. Изменение температуры лишь перераспределяет энергии электронов в зоне, не влияя существенно на концентрацию электронов проводимости. Зависимость электропроводности от температуры сравнительно слаба. Она определяется в основном процессами рассеяния электронов в жидкости или кристалле. Такие вещества являются металлами. [32]
Еда - часть диэлектрической проницаемости, связанной с деформа цией молекул полярной жидкости при наложении внешнего поля Параметр g имеет тот же смысл, что и в уравнении Кирквуда. Формула ( 30) также является приближенной, так как в ее основе лежат допущения о сферической форме молекул диэлектрика и о том, что молекулы обладают точечным диполем и заполнены непрерывной средой с диэлектрической проницаемостью ето. Поэтому [17] отклонения g от 1 могут быть вызваны не только упорядоченностью и ориентацией молекул ( при отсутствии ориентационного влияния короткодействующих сил cos ч 0, g 1), но и несовершенством самой теории. [33]
Теперь уже имеется не один, а несколько вариантов процесса, приводящего к равновесному распределению ориентации молекул при наложении внешнего поля. Каждый из таких вариантов определяется способом взаимной ориентации соседних молекул в ячейке диэлектрика. Но время, которое молекула проводит в данном положении равновесия, будет того же порядка, что и время, в течение которого высота потенциального барьера остается неизменной. [34]
Они соответствуют таким состояниям, когда электрон наиболее слабо связан с молекулой и поэтому легче меняет состояние движения при наложении внешнего поля. Строгого теоретического доказательства этого утверждения в литературе нет, но экспериментальные данные для многих молекул, по-видимому, ему не противоречат. [35]
В настоящей работе проверялось н аличие таких заполиме-ризовавшихся комплексов, а также наличие электретного эффекта у ПММА при полимеризации без наложения внешнего поля. [36]
Одна из этих сред представляет собой совокупность молекул растворителя, содержащих небольшое количество ионизированных частиц и ведущих себя обычным образом при наложении внешнего поля. Другая среда содержит как ионы, так и молекулы воды, находящиеся в гидратном слое этих ионов; эта среда относительно слабо взаимодействует с внешним полем. [37]
Поскольку наложение внешнего поля, как и любое возмущение, смешивает волновые функции основного И возбужденного состояний [49], перенос заряда при наложении внешнего поля до некоторой степени аналогичен переносу заряда при возбуждении. Однако, как уже говорилось ранее, эта аналогия теряется при рассмотрении двухзонной модели. Поэтому мысль о необходимости учета перераспределения зарядов при возбуждении не была высказана ни в одной работе, посвященной двухзонной модели. [38]
Эта нормальная реакция, как и со-ставляющиее ее естественные реакции, акустически ненаблюдаемая, но вносит вклад в процесс поляризации спиртов при наложении внешнего поля. [39]
Роль двух других квантовых чисел выясняется только тогда, когда какое-либо возмущение ( отклонение поля от кулонов-ского, учет релятивистского изменения массы, наложение внешнего поля или какая-либо другая причина) снимает вырождение. [40]
Окончательное решение этого вопроса возможно после проведения дополнительных систематических исследований и, в частности дальнейшего выяснения возможности появления новых диффракцконных полос на рентгенограммах изотропных волокон и пленок при наложении внешнего поля. [41]
Энергия, необходимая для освобождения электронов с поверхности металла, может быть сообщена ему различными способами: облучением поверхности металла коротковолновым излучением ( фотоэффект с поверхности металла); 2) наложением сильного внешнего поля ( холодная или автоэлектронная эмиссия); 3) нагреванием электрода, сопровождающимся увеличением энергии электронного газа; если при этом кинетическая энергия электрона превосходит энергию выхода, то электрон может преодолеть притяжение кристаллической решетки - перескочить через потенциальный барьер ( термоэлектронная эмиссия); 4) бомбардировкой поверхности металла частицами ( например положительными ионами), обладающими достаточной энергией. [42]
Здесь sjs - б представляет собой вклад в статическую диэлектрическую проницаемость, которую имела бы система, если бы в жидкой фазе протекала лишь у - я нормальная реакция, влияющая на дипольную поляризацию жидкости при наложении внешнего поля. [43]
Дебая при 10 - 20 вызываются ростом параметра v0 / kT при понижении температуры и, как следствие, возникновением в ощутимых масштабах не одного, а ряда процессов, приводящих к равновесному распределению ориентации молекул при наложении внешнего поля. Величина параметра v0 / kT при температурах 10 - 20 в ацетоне и пиридине еще не достаточна, чтебы вызвать заметную тенденцию к возрастанию относительной вероятности каких-либо избранных взаимных ориентации молекул, в) Высокочастотные измерения позволяют в известной мере охарактеризовать степень анизотропии среднего меж-мрлекулярного поля и, по-видимому, открывают некоторые возможности исследования его топографии. [44]
Пока внешнего поля нет, все девять положений не отличаются по энергии, а потому уровень 3 / Г4 и называется вырожденным: в нем только возможно проявление девяти различных состояний, отличных по энергии, но для реализации этой возможности необходимо наложение внешнего поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4