Намагниченность - пленка
Cтраница 1
Намагниченность пленок в продольном магнитном поле значительно меньше / Уа / 4тс, что объясняется проникновением в них поля. В результате, когда приложенное поле достигает критической величины / / Кр. Нужно также иметь в виду, что величина яв - поверхностная свободная энергия границы раздела между сверхпроводящей фазой и вакуумом - может отличаться от поверхностной энергии а границы раздела между нормальной фазой и вакуумом. [1]
Намагниченность пленок в продольном магнитном поло значительно мешано / / ( Г / 4тс, что объясняется проникновением в них поля. [2]
Подобный характер изменения намагниченности пленки при изменении Я, действующей вдоль оси легкого намагничивания, физически определяется следующим. До тех пор пока энергия пленки U U к Uт остается меньше энергии, отвечающей оси трудного намагничивания, Jm не может изменить своего направления, так как не в состоянии преодолеть стоящий на его пути потенциальный барьер. При напряженности же Ял - Як ( точка С на рис. 11.23, б) энергия пленки сравнивается с высотой потенциального барьера и J m скачкообразно перебрасывается слева направо, приводя к пе-ремагничиванию пленки. [3]
 |
Магниторезистивный детектор. [4] |
Благодаря эффекту магнитосопротивления при намагниченности пленки, перпендикулярной направлению тока, пленка имеет сопротивление на несколько процентов меньше, чем при намагниченности, параллельной направлению тока. [5]
 |
Характер процесса перемагничивания одноосной ферромагнитной пленки двумя полями, направленными параллельно ( II и перпендикулярно ( - L оси легкого намагничивания. [6] |
После снятия внешнего поля Я вектор намагниченности пленки возвращается под действием магнитного поля анизотропии по наиболее короткому пути к направлению легкого намагничивания. При этом если под действием внешнего поля углы поворота вектора намагниченности а90, то восстанавливается первоначальное направление намагниченности, а при а90 происходит опрокидывание - изменение направления вектора остаточной намагниченности. [7]
 |
Магнитные характеристики тонких пленок. [8] |
Если внешнее поле превышает Нк, то вектор намагниченности пленки направлен почти по вектору внешнего поля. [9]
При измерении магнитных характеристик в качестве индикатора состояния намагниченности пленки используется фотоэлектронный умножитель с областью спектральной чувствительности 3000 - 8000 А. Выходной сигнал ФЭУ подается на вход Y осциллографа, а через йС - фильтр ( для подавления шумов ФЭУ) - на вход импульсного милливольтметра. Осциллограф используется для наблюдения сигналов при перемагничи-вании и петель гистерезиса; в последнем случае на вход X осциллографа подается напряжение, пропорциональное напряженности перемагничиваю-щего поля. [10]
При помещении намагниченной пленки в постепенно усиливающееся магнитное поле, направленное противоположно вектору намагниченности пленки, в ней при некоторой напряженности возникают зародыши обратной намагниченности, увеличивающиеся по мере роста Я, что в конце концов приводит к перемагничиванию всей пленки. [11]
Сопоставление экспериментальных результатов с теоретическими кривыми показывает, что в зависимости от состояния намагниченности пленки возможны различные спектральные распределения шума магнитной индукции. Визуальное наблюдение поведения границ подтвердило, что действительно существуют достаточно локализованные области притяжения, где остановка границы при ее перемещении наиболее вероятна. Удаленность этих областей друг от друга растет при увеличении амплитуды внешнего поля Нт. Следовательно, возникновения рассмотренной выше корреляции положений границ в последовательных полуциклах следует ожидать при достаточном уменьшении Нт, когда области остановок границ в положительных и отрицательных полуциклах могут перекрыться. Для вычисления спектрального распределения сплошной составляющей спектра ЭДС индукции тонкой пленки, помещенной в индикаторную катушку ( магнитного шума), достаточно умножить на со2 значения спектральной плотности шума магнитной индукции ( см. формулы ( S. Здесь следует иметь в виду весьма существенную особенность в характере перемагничивания тонкой пленки с почти прямоугольной петлей гистерезиса. В рассмотренной выше модели мы пренебрегли тонкой структурой петли, которая реально состоит из множества мелких скачков, а рассмотрели лишь флуктуации полной намагниченности, т.е. результирующий интегральный эффект, в то время как ранее именно эта тонкая структура и составляла предмет исследования. [12]
 |
Запоминающий элемент на ЦМП. [13] |
Интегрируя уравнения ( 7) и ( 8) и учитывая обозначения, введенные для ЗЭ на рис. 1, а также направления тока и намагниченности пленки, получим уравнения, позволяющие определить зависимость токов считывания и записи от геометрии ЗЭ. [14]
 |
Ориентация векторов намагниченности при перемагничива-нии магнитного пятна.| Расположение ЗЭ в матрице ЗУ на ТМП. [15] |
Страницы: 1 2 3