Намагниченность - пленка
Cтраница 2
Для записи или восстановления информации по РШЗ подают ток ip положительной или отрицательной полярности ( в зависимости от записываемой цифры) в момент, когда вектор намагниченности пленки еще удерживается полем адресного тока в направлении трудной оси. Логическая структура ЗЭ совпадает со схемой на рис. 174, в, а блок-схема ЗУ - со схемами на рис. 176 или 177 - в зависимости от соотношения длины слова и оптимальной длины ячейки. Описываемое ЗУ предназначено для хранения 8 / С 52-разрядных слов и состоит из 32 матриц на 128 120-разрядных слов. Пятнадцать разрядов в каждой матрице служат для замены дефектных ЗЭ в процессе сборки и отладки ЗУ. В 105 - м вспомогательном разряде всегда записана 1, которая служит для выработки плавающего во времени стробирующего сигнала, необходимого для выделения считанного сигнала на фоне помех. Конструктивно накопитель состоит из 32 отдельных секций, причем разрядные шины записи и чтения секций соединены параллельно. [16]
При подаче тока считывания / сч на участках пленки, расположенных под обмотками считывания, происходит поворот вектора намагниченности в направлении оси проводника, что приводит к индуцированию сигнала на выходной разрядной обмотке, полярность которого определяется направлением намагниченности пленки, бывшим до считывания информации. [17]
При подаче тока считывания / еч на участках пленки, расположенных под обмотками считывания, происходит поворот вектора намагниченности в направлении оси проводника, что приводит к индуцированию сигнала на выходной разрядной обмотке, полярность которого определяется направлением намагниченности пленки, бывшим до считывания информации. [18]
 |
Схема конструкции пленочной матрицы для ЗУ.| Элемент ЗУ на цилиндрической пермаллоевой пленке. [19] |
При подаче тока считывания / сч на участках пленки, расположенных под обмотками считывания, происходит поворот вектора намагниченности в направлении оси проводника, что приводит к индуцированию сигнала на выходной разрядной обмотке, полярность которого определяется направлением намагниченности пленки, бывшим до считывания информации. [20]
Реальная тонкая ферромагнитная пленка состоит из множества доменов. Намагниченность пленки определяется намагниченностью отдельных доменов ( векторной суммой намагниченностей), поэтому она может принимать значения от нуля до некоторого максимального значения, когда пленку можно считать состоящей из одного большого домена. [21]
Тонкая пленка представляет собой не вполне упорядоченную зернистую структуру. Намагниченность пленки стремится ориентироваться вдоль определенного направления, называемого направлением легкого намагничивания. [22]
Для записи информации по проводу-подложке подают импульсы токов ixl и ixa одинаковой амплитуды ( / р) и разной полярности. Направление вектора намагниченности пленки по часовой стрелке соответствует состоянию I, против часовой стрелки-состоянию О. При подаче импульса тока / сч происходит поворот вектора намагниченности в направлении оси Т, расположенной вдоль образующей цилиндрической пленки. В результате изменения магнитного потока в стержне появляются выходные сигналы, полярность которых зависит от состояний 1 и О намагниченности участка пленки. [23]
 |
Элемент на тонкой магнитной пленке. [24] |
Такое свойство пленок называется одноосной анизотропией. Благодаря анизотропии вектор намагниченности пленки при отсутствии внешнего поля ориентируется вдоль оси легкого намагничивания, причем он может быть ориентирован как в ту, так и в другую сторону оси. Оба эти состояния являются устойчивыми, что и используется для хранения и распознавания информации в тонкопленочных элементах. Если приложено внешнее магнитное поле, то оно вызывает поворот вектора намагниченности, который после снятия поля возвращается в одно из ближайших устойчивых положений. [25]
ЦМД наблюдаются лишь в поле порядка 10s Э, приложенном нормально к плоскости пленки. Необходимость снижения полей зарождения ЦМД диктует задачу снижения намагниченности пленок феррит-шпинелей. Решение этой задачи возможно посредством легирования шихты исходного феррита различными элементами, в результате чего уменьшается суммарный магнитный подрешеток. [26]
В последнее время магниторезистивный эффект широко используется в пермаллоевых тонкопленочных преобразователях магнитного поля. Активное электрическое сопротивление тонкопленочного анизотропного пермаллоевого слоя зависит от угла между направлениями векторов намагниченности пленки и тока в ней. Техническая реализация пермаллоевых магниторезисторов открывает широкие возможности их миниатюризации. [27]
При этом в плоскости пленки создаются две взаимно перпендикулярные оси - ось предпочтительного ( легкого) намагничивания и ось тяжелого ( трудного) намагничивания. Ось легкого намагничивания образуется в направлении приложенного при изготовлении поля7 при этом вектор намагниченности пленки устанавливается параллельно этой оси. [28]
Запись производится следующим образом. Пленка из магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса, намагниченная до насыщения, помещается во внешнее магнитное поле Н0, направленное противоположно намагниченности пленки. Это поле по величине меньше, чем коэрцитивное поле ( Н0 С Нс), и поэтому оно не может изменить направления намагниченности. Если некоторый участок пленки нагреть с помощью луча лазера до температуры, при которой коэрцитивное поле уменьшится настолько, что внешнее поле Н0 станет больше Не, то поле Н0 вызовет перемагничение данного участка пленки. [29]
Два устойчивых состояния пленки, обеспечивающие запоминание информации, получают при создании параллельно ее поверхности направления легкого намагничивания. Магнитные свойства пленки характеризуются коэрцитивной силой Нс, соответствующей смещению стенок доменов, и полем анизотропии Hk, эквивалентным внешнему полю, удерживающему вектор намагниченности пленки J в состоянии устойчивого равновесия. При этом если Яс Я Hh, процесс перемагничивания происходит путем смещения стенок доменов. [30]
Страницы: 1 2 3