Нанесение - металлическая пленка
Cтраница 2
Механическая обработка ( чеканка, штамповка) выполняется молотками, гравировка наносится острыми инструментами, протравка - кислотами, фототравление - кислотами и фотохимикатами, гальваностегия ( нанесение металлической пленки на другой металл) и гальванопластика ( нанесение металлической пленки на неметаллический предмет) - кислотами и цианидными растворами; окрашивание металла - множеством химикатов. [16]
 |
Усилитель мощности в гибридном исполнении. [17] |
Для получения медных пленок толщиной 6 - 8 мкм с указанной разнотолщинностью наиболее часто используется метод вакуумного испарения из тигля с разогревом электронным потоком и вращением подложек вокруг испарителя. Перед нанесением металлических пленок поверхность подложки может быть подвергнута обработке в тлеющем разряде или ионной обработке непосредственно в вакуумной камере напылительной установки. Часто подложка подвергается термической обработке при температуре до 200 С также в вакуумной камере перед нанесением пленок. [18]
 |
Разновидности однородного преобразователя. [19] |
Поэтому на центральной частоте ос взаимодействия могут оказаться достаточно сильными. Аи / и 1, где Аи / и - относительное изменение скорости, обусловленное нанесением сплошной металлической пленки. Здесь на период приходится более двух электродов и поэтому сильное отражение может возникнуть только на частотах, существенно удаленных от центральной частоты ог. Простейший ВШП, показанный на рис. 4.4, а, часто называют преобразователем с одиночными электродами, тогда как ВШП, изображенный на рис. 4.4, б, - преобразователем с расщепленными электродами. [20]
СВЧ-ИМС подобно низкочастотным интегральным микросхемам могут быть полупроводниковыми или гибридными. Для полупроводниковых ИМС активные элементы выращивают на поверхности полупроводниковой подложки или в ее объеме, а пассивные элементы и контакты к активным элементам изготовляют нанесением металлической пленки в областях, где удален эпитакси-альный слой. Полупроводниковые СВЧ-ИМС из-за низкого процента выхода годных схем, технологических трудностей и больших потерь имеют ограниченное применение. Однако такие важные преимущества полупроводниковых СВЧ-ИМС, как малые величины паразитных связей и возможность их контроля, дают основание полагать, что в будущем они получат более широкое распространение, особенно в миллиметровом диапазоне. [21]
СВЧ-ИМС подобно низкочастотным интегральным микросхемам могут быть полупроводниковыми или гибридными. Для полупроводниковых ИМС активные элементы выращивают на поверхности полупроводниковой подложки или в ее объеме, а пассивные элементы и контакты к активным элементам изготовляют нанесением металлической пленки в областях, где удален эпитаксиаль-ный слой. Полупроводниковые СВЧ-ИМС из-за низкого процента выхода годных схем, технологических трудностей и больших потерь имеют ограниченное применение. Однако такие важные преимущества полупроводниковых СВЧ-ИМС как малые величины паразитных связей и возможность их контроля дают основание полагать, что в будущем они получат более широкое распространение, особенно в миллиметровом диапазоне. [22]
На рис. 185, е изображена упрощенная эквивалентная схема усилителя. Металлический электрод р-слоя образует коллектор. Базовые электроды образуются нанесением металлических пленок с проводимостью тг-типа. В схеме усилителя не показаны компенсационные термосопротивления и соединительная емкость. На рис. 185, ж показано устройство, не имеющее стандартной схемной аналогии, и его характеристика. На графике штриховой линией обозначена нагрузочная характеристика элемента. [23]
Эта связь позволяет решить вопрос об изменении формы резонансов при нанесении просветляющих или отражающих пленок на поверхность пластинки. При фиксированном R и увеличении R % от нуля до единицы происходит монотонное увеличение VT и, следовательно, увеличение F. Это означает, что при нанесении металлической пленки на одну из поверхностей пластинки минимумы отражения становятся более узкими. [24]
Существенным является также и вопрос о коэффициенте отражения света от поверхностей пластинки. Контрастность интерференционной картины определяется соотношением между интенсивностями интерферирующих пучков. Наиболее контрастной картина получается в том случае, когда интенсивности когерентных пучков одинаковы. Избыток энергии в одном из них создает вредный светлый фон. В настоящее время имеется возможность изменять коэффициент отражения в очень широких пределах путем нанесения металлических пленок на отражающие поверхности. [25]
Страницы: 1 2