Наноэлектроника
Cтраница 1
Наноэлектроника является областью науки и техники, сформировавшейся на основе достижений физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и технологии полупроводниковой микроэлектроники. Разрабатываемые для наноэлектроники технологии должны быть ориентированы на массовое производство приборов и интегральных схем с минимальными размерами элементов в диапазоне от 100 до 1 нм. [1]
В наноэлектронике используются следующие основные квантовые эффекты, лежащие в основе функционирования наноразмерных элементов: интерференция; квантовое ограничение; туннелирование через потенциальные барьеры. [2]
Серьезную конкуренцию наноэлектронике, основанной на использовании традиционных неорганических полупроводниковых материалов, в решении задач создания сверхминиатюрных и сверхбыстродействующих электронных устройств может составить молекулярная электроника. Как показывают исследования последних лет, индивидуальные молекулы ряда ароматических органических веществ, биомолекулы и углеродные нанот-рубки обладают электрическими свойствами, которые, как считалось ранее, характерны только для объемных полупроводников. Они являются прекрасными проводниками электрического тока и могут использоваться в качестве переключателей при плотностях тока в миллионы раз больших, чем традиционная медная проволока. [3]
Использование металлофуллереновых эквипотенциальных поверхностей в наноэлектронике / ЛГезисы докл. [4]
 |
Различные структур. [5] |
Еще более интересно использование этого материала в технике принципиально нового уровня - наноэлектронике. [6]
Прогресс в области технологии производства интегральных микросхем неуклонно продолжается - на очереди переход микроэлектроники в наноэлектронику, в которой размер отдельного элемента интегральной схемы исчисляется уже не микрометрами, а нанометрами. При этом функциональные возможности микропроцессоров и построенных на них микро - ЭВМ возрастут не в тысячу раз, а гораздо больше, поскольку закон возрастания этих возможностей нелинеен по отношению к увеличению плотности монтажа электронных компонентов в кристалле полупроводника. [7]
 |
Схема деформационно-индуци-рованной самосборки. [8] |
Эти и многие другие методы формирования наноструктурных устройств и систем представляют большой интерес для дальнейшего прогресса наноэлектроники, информационных технологий и других областей. По мере уменьшения масштаба технологические операции ( изготовление шаблонов, монтаж, травление и др.) становятся все сложнее и, безусловно, в этой связи привлекательна самосборка, описанная для супрамолекулярных материалов ( см. гл. Крайне ограничены и не систематизированы сведения для других нанообъектов. Самосборка, в принципе, может рассматриваться как прототип бионаправленного синтеза. Из общих соображений понятно, что самосборка может регулироваться как термодинамикой, так и кинетикой процессов. Многообразие явлений, имеющих место при самосборке, затрудняет понимание, в каких случаях она способна заменить искусственные методы сборки, не говоря о возможностях предсказания и оценки надежности и стабильности. В настоящее время отсутствует общий подход, а зачастую и четкое понимание принципов организации и функционирования самосборочных структур. [9]
Компания NT - MDT ( HT - МДТ), разрабатывающая и производящая самые перспективные приборы для наноэлектроники - атомные силовые микроскопы ( atomic force microscopes), без которых нельзя исследовать поверхностный рельеф и измерять реальную топологию микро - и наноструктур. [10]
В соответствии с прогнозом ученых, развитие новых направлений в наноматериаловедении и нанотехнологиях должно привести к прорыву в части создания новых материалов с необычайными свойствами для наноэлектроники, медицины, энергетики, биотехнологий, вычислительных и информационных технологий. Решение проблемы наномате-риаловедения требует ответа на следующие вопросы, поставленные АЛ. [11]
Дальнейшее развитие работ по инжекционной модификации с использованием рассмотренных выше процессов изменения зарядового состояния МДП-структур, наряду с разработкой новых видов полевых приборов с изменяемыми параметрами, будет направлено на создание локальных областей инжекционно-индуцированного заряда диэлектрика нанометровых размеров, что откроет возможность формирования стабильных и перестраиваемых квантоворазмерных элементов полупроводниковой наноэлектроники. [12]
Наноэлектроника является областью науки и техники, сформировавшейся на основе достижений физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и технологии полупроводниковой микроэлектроники. Разрабатываемые для наноэлектроники технологии должны быть ориентированы на массовое производство приборов и интегральных схем с минимальными размерами элементов в диапазоне от 100 до 1 нм. [13]
Представлены результаты научно-исследовательских работ, выполненных учеными высшей школы по подпрограмме Новые материалы в рамках научно-технической программы Минобразования Российской Федерации Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники. Важное место занимают нанотехнологии и наноматериалы, лежащие в основе многих металловедческих задач и, в частности, в области материалов для микро - и наноэлектроники. Описаны достижения по биосовместимым материалам и сплавам с памятью. Большое внимание уделено композитам, порошкам, функциональным покрытиям, твердым сплавам и целой группе сталей и сплавов со специальными свойствами ( сверхпроводя-шие сплавы, магнитные материалы и др.), новым полимерным материалам. Приводятся достижения по текстильным и кожевенным материалам улучшенного качества. [14]
Переносить отдельные атомы и строить из них различные структуры на атомном уровне при помощи электронного луча умеют уже сегодня. Причем это будет истинная наноэлектроника с полупроводниковыми элементами атомных размеров, управляющая движением отдельных электронов. [15]
Страницы: 1 2