Cтраница 2
В XXI век микроэлектроника вошла с производством УСБИС динамической памяти на 1 Гбит и микропроцессоров с тактовыми частотами до 1 2 ГГц. К 2010 - 2012 гг. предполагается довести эти показатели до 64 Гбит и 10 ГГц, соответственно. Аналогичная тенденция резкого повышения степени микроминиатюризации наблюдается и в оптоэлектронике. Совершенно другая ситуация складывается при освоении диапазона линейных размеров менее 0 1 мкм. Здесь возникает фундаментальный физический барьер, обусловленный резкими изменениями практически всех свойств твердого тела, в том числе и электропроводности. При достижении таких размеров в соответствующих объектах начинают в полной мере проявляться квантовые эффекты, что требует совершенно иного подхода к конструированию приборов, которые должны работать на новых физических принципах. Вот почему освоение нанометрового диапазона размеров в современной твердотельной электронике выделено в специальное направление, названное наноэлектроникой. [16]