Напайка - кристалл
Cтраница 1
Напайка кристалла обеспечивает хороший тепловой контакт с корпусом, а также позволяет заменять - дефектные кристаллы в многокристальных ИС. [1]
Напайку кристаллов с электронно-дырочными переходами на ножки или кристаллодержатели выполняют в газовых конвейерных печах ЖК 40.07, но наиболее прогрессивной является ориентированная напайка на установках П-1398, ЭМ-415 и других, обладающая рядом преимуществ, основное из которых состоит в том, что процент выхода годных изделий при напайке на установках выше из-за отсутствия продолжительного нагрева, а появившийся брак может быть легко устранен. Принцип действия установок П-1398 и ЭМ-415 одинаков, но по конструкции они несколько отличаются друг от друга. [2]
 |
Структура меза-планар.| Структура пленарного транзистора. [3] |
После напайки кристалла к областям эмиттера и базы подводятся выводы и транзистор герметизируется. [4]
 |
Схема герметизации транзистора с помощью холодной сварки.| Корпус транзистора, герметизируемого с помощью холодной сварки и рассчитанного на тепловое сопротивление 1 - 1 5 С / вг. [5] |
После напайки кристалла на монтажную площадку сверху к нему припаиваются гибкие внутренние выводы, которые затем припаиваются к жестким выводам корпуса. [6]
Для напайки кристаллов на ножки полупроводниковых приборов используют инструмент, представляющий собой трубку, внутри которой имеется отверстие в виде четырехгранной пирамиды ( рис. 116 6), в котором кристалл квадратного сечения удерживается присосом. Инструмент этого типа, изготовляемый из быстрорежущей стали Р18, применен в установках ЭМ-415, ЖКМ 1.121.001 и др. Размер инструмента для кристаллов 0 5X0 5 составляет 0 7x0 7 мм. [7]
 |
Установка ЭМ-415. [8] |
Установка П-1398 для ориентированной напайки кристаллов проста по конструкции и надежна в эксплуатации, поэтому кроме профилактического осмотра и смазки трущихся поверхностей деталей особой наладки не требует. [9]
Надо отметить, что использование мягкого припоя для напайки кристалла на основание корпуса связано еще с одной опасностью. Если конструкция прибора выбрана такой, что механические напряжения в кристалле не достигают опасного предела, но транзистор подвергается многократным включениям и выключениям, то в слое мягкого припоя, где напряжения будут превосходить предел текучести, могут возникнуть явления усталости и вслед за появлением в мягком припое усталостных трещин прибор выйдет из строя из-за перегрева ввиду увеличения теплового сопротивления. [10]
Если раньше изготовитель полупроводникового прибора выполнял такие операции, как напайка кристалла на ножку, распайка выводов на траверсы, герметизацию, то теперь эти или аналогичные им операции должен производить изготовитель гибридных схем. [11]
Под сборкой полупроводниковых приборов понимают комплекс операций от загрузки кристаллов и электродных сплавов в кассеты, напайки кристаллов на держатели, присоединения внутренних и внешних выводов и других более мелких операций до окончательной герметизации прибора. При этом необходимо учитывать, что каждую операцию выполняют тем или иным методом, зависящим от конкретных технологических особенностей данного прибора. При сборке полупроводниковых приборов применяется ряд методов соединения выводов с кристаллами корпу - са. Основные из них: пайка, электросварка, термокомпрессия, холодная сварка. [12]
Рассмотрим устройство и работу печи ЖК 40.07 конвейерного типа ( рис. 34), предназначенной для получения электронно-дырочных переходов методом сплавления, а также для напайки кристаллов с р - - переходами на ножки полупроводниковых приборов. [13]
Указанные ухудшения параметров при температурах, превышающих оптимальные, видимо, связаны с низкими температурами эвтектик золото, серебро - арсенид галлия. Температуры последующих технологических операций ( напайка кристалла на держатель, подсоединение вывода контакта) должны выбираться близкими к оптимальным температурам, не превышая их. Установлено, что допустимая температура для барьера никель - арсенид галлия составляла 450 С. [14]
В кристаллической структуре мощного диффузионного транзистора, хотя в ней для создания переходов не проводится сплавления, также могут возникнуть напряжения. Эти напряжения могут появиться в результате напайки кристалла на основание корпуса, так как при этом между точкой затвердевания припоя и комнатной температурой может иметься значительный температурный интервал. [15]
Страницы: 1 2