Cтраница 2
Следует отметить, что силанирование проводят сразу после травления р - п переходов без всякой сушки, которая в любом случае вносит загрязнения. Желательно, чтобы пленка не подвергалась термообработке и механическим воздействиям. Поэтому силанирование обычно проводят после напайки кристаллов с переходами на кристаллодержатели и травления переходов после напайки. Силанирование переходов до напайки на кристалло-держатель вызывает появление пленки на материале невыпрямляющего контакта, что ухудшает качество пайки. Дополнительный разогрев пленки в момент пайки может вызвать нарушение целостности покрытия. [16]
Во время пайки наконечник вакуумной присоски прижимают к кристаллу. Процесс пайки происходит в результате нагрева и механических колебаний наконечника присоски. Механические колебания с частотой 50 Гц присоске сообщает реле 3, закрепленное на корпусе присоски. Напайку кристаллов на ножки выполняют в атмосфере азота, который подают от сети через резиновый шланг, надетый на штуцер электронагревателя. Расход азота контролируют по ротаметру. [17]