Напряжение - источник - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Дипломат - это человек, который посылает тебя к черту, но делает это таким образом, что ты отправляешься туда с чувством глубокого удовлетворения. Законы Мерфи (еще...)

Напряжение - источник - смещение

Cтраница 1


Напряжение источника смещения выбираем равным Еа - 1 2 В.  [1]

2 Диодные ограничители. [2]

Если входное напряжение превышает напряжение источника смещения Е0 или меньше напряжения источника - ЕО, то один из диодов ( Д или Д2) отпирается и уменьшает коэффициент передачи, так как его прямое сопротивление образует с сопротивлением Ко делитель напряжения.  [3]

4 Схемы микромощных логических элементов, использующие транзисторы, работающие в лавинном режиме. [4]

В схеме рис. 2 а напряжение источника смещения выбирается не только из условия отсечки транзистора, но и из условия компенсации высокого напряжения на выходе предыдущего каскада, в схеме рис. 2 6 - только из условия обеспечения состояния отсечки. Работа схемы рис. 2 а протекает следующим образом.  [5]

Закрытое состояние транзистора Т2 созда ется напряжением источника смещения, ток которого протекает m цепи: 12 В, Rll, RIO, R5, D3, О В. Положительный потенциал базы по отношению к эмиттеру удер живает транзистор Т2 в закрытом состоянии.  [6]

Выбор величин сопротивлений плеч потенциометра вместе с напряжением источника смещения производится так, чтобы обеспечить нормальное функционирование схемы.  [7]

Модулирующее напряжение при модуляции смещением вводится последовательно с напряжением источника смещения ( фиг.  [8]

В ( результате расчета должны быть найдены: - напряжение источника смещения Е3 ( Е), величины резисторов Ri, Rz, максимальные величины входных токов 1 п, / тв - При этом, естественно, должны быть обеспечены условия надежного запирания диода Д2 или ДНЗ в зависимости от уровня входного сигнала.  [9]

Повторить задачу 4.1 для схемы рис. 4.11, если напряжение источника смещения равно 10 в и эта батарея подключена к базе через сопротивление 200 000 ом.  [10]

Рабочие характеристики ограничителей амплитуды определяются также уровнями ограничения, которые лимитируются обычно напряжением источников смещения и питания. В схемах, содержащих реактивные элементы ( разделительные конденсаторы, согласующие трансформаторы, индуктивные катушки в формирующих контурах), при воздействии последовательности импульсов уровень выходного сигнала сдвигается, так как образуется динамическое смещение. Из-за этого дополнительного смещения уровень ограничения может измениться, что необходимо учитывать при расчете практических схем.  [11]

12 Схема последовательного диодного ограничителя по минимуму ( о и эпюры напряжения на его входе и выходе ( б. [12]

В ограничителе по минимуму ( рис. 3.1), когда входное напряжение вх становится меньше напряжения источника смещения Ясм, диод запирается и не пропускает сигнал на выход.  [13]

14 Блок-схема ультразвукового генератора.| Схема генератора с независимым возбуждением. [14]

Схема простейшего лампового генератора с независимым возбуждением приведена на рис. 3 - 2, где Ес - напряжение источника смещения; Еа - напряжение источника постоянного анодного напряжения.  [15]



Страницы:      1    2    3