Напряжение - источник - смещение
Cтраница 2
Значит, в этом случае дополнительного накопления смещения не происходит и к началу импульса на сетке действует напряжение источника смещения. [16]
Продвижение прямой помехи, возникающей при считывании О, и превращение ее в 1 устраняется соответствующим выбором напряжения источника смещения EQ. Напряжение смещения выбирается такой величины, при которой прямая помеха не может открыть транзистор опрашиваемой ячейки. [17]
 |
Схема логпч. элемента и па транзисторах. и - последовательная. б - параллельная. [18] |
Транзисторный усилитель: а - вход; / - инверсный выход; II - прямой выход; ( 7СМ - напряжение источника смещения; Ясм - сопротивление в цепи смещения; Rf-сопротивление базы; 7 к - сопротивление коллектора. [19]
 |
Структурная схема многоканальной синхронной системы импульсно-фазового управления для трехпульсного тиристорного преобразователя ( р3. [20] |
Смещение характеристики вход-выход усилителя в сторону положительных значений UK равно - UcaRsi / RS2, где t / см - напряжение источника смещения относительно общего нулевого провода. Это смещение может потребоваться при совместном несогласованном управлении реверсивным тиристорным преобразователем для создания зоны нечувствительности. [21]
В исходном состоянии транзисторный ключ заперт и напряжение на его базе ( если не учитывать обратного базового тока / бо) равно напряжению источника смещения - - Еъ - До этого же напряжения заряжен и конденсатор С дифференцирующей цепи. [22]
В ТТР с большим значением тока подготовки, в частности в лампах ТХ8Г, ТХ6Г, это падение напряжения может составлять 15 - 20 в, что требует соответствующего увеличения напряжения источника смещения. [23]
Амплитуда напряжения, снимаемого с ограничителя, равна напряжению смещения, создаваемому на сопротивлении в цепи диода. Изменяя напряжение источника смещения, можно установить требуемую величину тока в установочных катушках. [24]
 |
Детектирование слабого сигнала в диодном детекторе.| Характеристика диода в области слабых сигналов к примеру 7 - 14. [25] |
Емкость С в цепи нагрузки детектора слабых сигналов следует выбрать такой, чтобы ее реактивное сопротивление на несущей частоте сигнала было много меньше А. Сопротивление нагрузки R и напряжение источника смещения Еа должны быть такими, чтобы рабочая точка S попала в область наибольшей кривизны вольт-амперной характеристики диода. [26]
Полярность источника смещения такова, что он поддерживает диод в закрытом состоянии. Для обеспечения требуемого уровня ограничения устанавливается нужная величина напряжения источника смещения. В схеме рис. 11.5 6 диод открывается только в том случае, когда напряжение положительного входного сигнала превысит 3 В. [27]
Для обеспечения устойчивой работы триггера его параметры подбирают так, чтобы открытый транзистор находился в режиме насыщения, а закрытый - в режиме отсечки. Закрытый транзистор имеет потенциал коллектора, близкий к напряжению источника смещения. Несмотря на то что триггер симметричен, при подаче на него напряжения питания один транзистор обязательно окажется закрытым, а другой - открытым, так как абсолютную симметрию в реальных схемах обеспечить невозможно и в схеме при включении ее сразу же начнется лавинообразный процесс, который происходит почти мгновен -: но и заканчивается переходом одного транзистора в режим отсечки, другого - в режим насыщения. [28]
Для обеспечения устойчивой работы триггера его параметры подбирают так, чтобы открытый транзистор находился в режиме насыщения, а закрытый - в режиме отсечки. Закрытый транзистор имеет потенциал коллектора, близкий к напряжению источника смещения. [29]
 |
Схема фантастрона со связью по экранирующей сетке, в которой используется катодный повторитель для быстрого заряда конденсатора Cj. [30] |
Страницы: 1 2 3