Напряжение - коллектор
Cтраница 1
 |
Динамическая характеристика лавинного транзистора. [1] |
Напряжение коллектора, при котором М 1 / а, есть напряжение пробоя для схемы ОЭ, так как при ам 1, м оо. Таким образом, в режиме лавинного пробоя получается высокий коэффициент усиления. [2]
Напряжение коллектора в этой области слабо влияет на ход характеристики и величину его тока гк. [3]
Напряжение коллектора влияет на толщину обедненного слоя коллекторного перехода, изменяет толщину базы w и напряженность поля в коллекторном переходе. [5]
Напряжение коллектора влияет на сопротивление базы вследствие того, что модулирует ее толщину. [6]
Напряжение коллектора ионов равно - 22 в. На случай, когда в приборе не удается получить хороший вакуум, предусмотрен газопоглотитель, нагреваемый пропусканием тока. [7]
Считая напряжение коллекторов составного транзистора приблизительно равным икз макс, рассчитываем ( гл. [8]
Увеличение напряжения коллектора также повышает граничную частоту усиления по току. Это связано с тем, что при повышении напряжения уменьшается толщина области базы. [9]
 |
Зависимость параметров четырехполюсника, эквивалентного полу. [10] |
Увеличение напряжения коллектора увеличивает как / - б, так и гб. [11]
 |
Электрические параметры плоскостных германиевых триодов типов П8 - ПИ.| Электрические параметры плоскостных германиевых триодов типов П13 - П151. [12] |
При напряжении коллектора минус 5 в, ток эмиттера равен 1 ма на частоте 465 кгц. [13]
При напряжении коллектора, близком к напряжению пробоя, большая часть напряжения, приложенного к коллектору, падает на коллекторном переходе. Переход очень тонок и внутри него образуется очень сильное электрическое поле, способное вызвать лавинное умножение носителей заряда. [14]
 |
Статические характеристики транзистора в схемах. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5