Cтраница 2
Ток и напряжение коллектора являются координатами точек пересечения прямой сопротивления с характеристикой транзистора для соответствующего значения тока эмиттера. [16]
В, напряжение коллектора изменяется ступенчатым образом от 0 до 1 6 В. Напряжение на втором электроде электронно оптической системы меняется так, чтобы достигнуть нормального падения электронов на коллектор. Правильное энергетическое распределение электронов может быть достигнуто только при нормальном падении электронов на коллектор. [17]
С изменением напряжения коллектора коэффициент шума также сначала изменяется мало ( рис. 4.48 6), а затем растет довольно быстро. [19]
При изменении напряжения коллектора изменяется емкость коллекторного перехода, изменение же напряжения эмиттера приводит, кроме изменения емкости его перехода, к изменению скорости дрейфа носителей в области базы. [20]
Находим величины напряжений коллектора. Находим при 1Э 2 ма ик - 30 в, а при Г3 3 ма ик 20 в. [21]
![]() |
Зависимости кбэффи. [22] |
С изменением напряжения коллектора коэффициент шума также сначала изменяется мало ( рис. 4.48, б), а затем растет довольно быстро. [23]
С изменением напряжения коллектора коэффициент шумов также сначала меняется мало ( рис. 2.49 б), а затем растет довольно быстро. [25]
![]() |
Зависимости коэффициента шума транзистора. [26] |
С изменением напряжения коллектора коэффициент шума также сначала изменяется мало ( рис. 4.48, б), а затем растет довольно быстро. Это объясняется тем, что при низких напряжениях коэффициент шума определяется тепловыми и дробовыми шумами, а при больших напряжениях начинают преобладать избыточные шумы. [27]
Близкое к нулю напряжение коллектора не может открыть следующий транзистор. [28]
На значение IKs напряжение коллектора влияния не оказывает. [29]
Остальные параметры от напряжения коллектора зависят слабо. [30]