Напряжение - пробой - диод
Cтраница 1
Напряжения пробоя диодов одинаковы и равны 100 В. Определить токи диодов и напряжения на них, если подводимое обратное напряжение равно: а) 90 В; б) ПО В. [1]
 |
Зависимость динамического сопротивления дн от напряжения пробоя при длительностях т10 икс ( а и 200 икс ( б. Залитые обозначения - для структур р-п - р. светлые - для структур р-п. [2] |
Напряжение пробоя диода ( напряжение пробоя самой низковольтной микроплазмы) зависит от площади вследствие статической природы микроплазменного пробоя. [3]
Напряжение питания F, должно несколько превосходить напряжение пробоя диодов. Напряжение может меняться от 50 до 80 в при хорошей стабильности. [4]
Метод измерения основан на том, что вследствие температурной зависимости напряжения пробоя диода его дифференциальное сопротивление на участке лавинного умножения в статическом и в изотермическом режимах сильно различаются. [5]
Источники f / пор и t / проб учитывают пороговое напряжение отсечки и напряжение пробоя диода. [6]
 |
Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [7] |
Еще одна трудность, возникающая при формировании контакта Шоттки, связана с возможностью возникновения сильных полей на краях контакта, что может приводить к существенному уменьшению напряжения пробоя диода. В этом случае диод Шоттки за-шунтирован р - п-переходом, который при прямом смещении почти не инжектирует из-за существенной разницы в размахах прямых вольт-амперных характеристик перехода Шоттки, образованного, например, между А1 и Si л-типа, и кремниевого р - / г-перехода. Хотя наличие охранного кольца не приводит к заметному накоплению неосновных носителей в п-области при прямом смещении диода Шоттки, такой способ нейтрализации краевых эффектов нельзя признать наилучшим из-за существенного увеличения барьерной емкости диода за счет емкости р - я-перехода. [8]
Качество ограничения повышается с уменьшением прямого сопротивления диода. Напряжение пробоя диода должно превышать наибольшую амплитуду выходного сигнала, чтобы не наступало ограничение при сигналах, смещающих диод в обратном направлении. [9]
Обычно напряжение пробоя диода, или зенеровское напряжение, лежит в интервале 6 - 15 В. [10]
Максимально допустимый рабочий уровень импульсной и средней мощности переключательных диодов характеризуется обычно падающей импульсной мощностью Риыакс и средней, поглощенной ( рассеиваемой) в диоде, мощностью Ррас макс. Первая ограничивается, как правило, величиной напряжения пробоя диода Unp ( максимально допустимое обратное напряжение) при работе последнего с нулевым или обратным смещением, вторая - допустимой температурой разогрева лолупровод ника. [11]
Включение в цепь базы конечного сопротивления снизит открывающее напряжение на эмиттере и несколько уменьшит ток в цепи эмиттер-коллектор. При этом пробивное напряжение может возрасти, оставаясь, однако, ниже напряжения пробоя диода коллектор-база. Дело в том, что, как известно, коэффициент усиления транзистора а слагается из трех сомножителей: а уРпМ, где Y - KO-эффициент инжекции; рп - коэффициент - переноса и М - коэффициент лавинного умножения. Для того чтобы а обратилось в единицу, необходимо, чтобы М лишь незначительно превосходило единицу, а при напряжении лавинного пробоя коллекторного диода величина М очень велика. Поэтому в транзисторе в условиях неотключенного ( или незапертого) змиттерного электрода пробивное напряжение, соответствующее моменту, когда у М1, будет всегда ниже, чем напряжение пробоя коллекторного диода. [12]
Слагаемое 0 5 мм в формуле (13.12) учитывает, что нижняя кромка структуры отстоит от границы термокомпенсатора примерно на это значение. Это делается с целью удаления после сплавления с термокомпенсатором периферийного, наиболее напряженного кольцевого участка структуры и обеспечения тем самым стабильности напряжения пробоя диода. [13]
Несоблюдение этого условия может привести к неправильной работе схемы при сопряжении. Для входных напряжений ниже уровня земли ТТЛ-вход ведет себя как фиксирующий диод, включенный на землю; при напряжениях выше 5 В ток определяется напряжением пробоя диода ( LS, F) или перехода база - эмиттер ( ALS, AS) с напряжением пробоя около 10 В. [14]
Как известно, эта емкость уменьшается с увеличением абсолютной величины запирающего напряжения. Максимальная эквивалентная емкость р-п перехода Сэ тах - 200 - 7 - 900 пф получается при нулевом смещении. Максимальное напряжение смещения должно быть на 0 5 - 0 6 В ниже напряжения пробоя диода. [15]
Страницы: 1 2