Cтраница 2
Из кривых рис. 4.56 следует, что у сплавных диодов т при постоянном М ИНОК1 ( UaH с о) больше, чем у диффузионных. Однако следует учитывать еще и RS OT которого зависят и максимальная частота и коэффициент шума. Это сопротивление снижается легированием и применением низкоомного материала базы. И то и другое, в случае сплавного ( ступенчатого) перехода, приводит к росту С0 и снижению напряжения пробоя диода. В случае диффузионного ( плавного) перехода этого не происходит, так как обедненный слой располагается в высокоомной части перехода там, где концентрация примесей малая; сильное легирование базы не вызывает сужения перехода и изменения его емкости и напряжения пробоя. В случае диффузионного диода ширина перехода хп для сильно ( 1) и слабо ( 2) легированной базы не меняется. В случае сплавного диода, переход становится уже ( х п) при неизменном напряжении смещения. [16]
Включение в цепь базы конечного сопротивления снизит открывающее напряжение на эмиттере и несколько уменьшит ток в цепи эмиттер-коллектор. При этом пробивное напряжение может возрасти, оставаясь, однако, ниже напряжения пробоя диода коллектор-база. Дело в том, что, как известно, коэффициент усиления транзистора а слагается из трех сомножителей: а уРпМ, где Y - KO-эффициент инжекции; рп - коэффициент - переноса и М - коэффициент лавинного умножения. Для того чтобы а обратилось в единицу, необходимо, чтобы М лишь незначительно превосходило единицу, а при напряжении лавинного пробоя коллекторного диода величина М очень велика. Поэтому в транзисторе в условиях неотключенного ( или незапертого) змиттерного электрода пробивное напряжение, соответствующее моменту, когда у М1, будет всегда ниже, чем напряжение пробоя коллекторного диода. [17]
Сопротивление базь Гд изменяется с температурой, поскольку изменяете удельное сопротивление. Для кремниевых транзисторОЕ в рабочем диапазоне температур ГБ возрастает примерно пропорционально с ростом температуры. Сопротивление коллектора, как уже отмечалось, обусловлено эффектом модуляции толщины базы ( эффект Ирли) и зависит от температуры. В связи с увеличением т с ростом температуры должно возрастать и гк. Это имеет место при отрицательных температурах. Если напряженке пробоя коллектора в схеме ОБ при отсутствии существенных утечек несколько увеличивается с увеличением температуры аналогично напряжению пробоя диода, то в схеме ОЭ наблюдается резкое снижение напряжения пробоя, обусловленное согласно (4.13) нарастанием В. Таким образом, сравнение схем включения ОБ и ОЭ показывает, что наибольшей температурной стабильностью обладает включение транзистора по схеме ОБ. [18]