Напряжение - лавинный пробой
Cтраница 1
Напряжение лавинного пробоя определяется главным образом удельным сопротивлением высокоомной области и приблизительно прямо пропорционально его величине. Это объясняется тем, что удельное сопротивление примесного полупроводника непосредственно связано с концентрацией примесей, а значит, и с концентрацией зарядов, создающих электрическое поле в обедненном слое. [1]
Напряжение лавинного пробоя р-п перехода зависит не только от удельного сопротивления исходного кремния, но и от градиента легирующих примесей в переходе. Поэтому предварительно задаются глубиной залегания р-п перехода XJP, поверхностной концентрацией и профилем распределения легирующей примеси, образующей р-п переход. [2]
 |
Зависимость показателя степени п от напряжения лавинного пробоя резкого р-п перехода.| Обратные ветви ВАХ германиевого ( а и кремниевого ( б р-п. [3] |
С ростом температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается. Это связано с увеличением рассеяния носителей на тепловых колебаниях решетки. Для кремния относительный температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя составляет примерно 0 1 % / С. [4]
 |
Параметры, определяющие лавинный пробой. [5] |
Как видим, напряжение лавинного пробоя тоже увеличивается с ростом удельного сопротивления. Сравнивая выражения ( 2 - 56) и ( 2 - 52), легко прийти к заключению, что отношение U2 / UK pg - K находится в прямой зависимости от удельного сопротивления базы. При высоких значениях рб получается Uz [ / м и пробой носит лавинный характер; при низких значениях р6 получается Uz t / м и пробой носит туннельный характер. Граничное значение рб, при котором Uz UM, зависит от материала и типа проводимости. [6]
С повышением температуры напряжение лавинного пробоя возрастает. Это объясняется тем, что с ростом температуры время жизни носителей уменьшается, а энергия, необходимая для ударной ионизации, должна быть приобретена носителем за промежуток времени, не превышающий время его жизни. Поэтому напряженность поля, а следовательно, и напряжение пробоя, требуемые для ударной ионизации, увеличиваются с температурой. [7]
Как видим, напряжение лавинного пробоя тоже увеличивается с ростом удельного сопротивления. [8]
 |
Вольт-амперная характеристика транзистора П210 с областью лавинного пробоя. [9] |
Напряжение загиба значительно меньше напряжения лавинного пробоя: так, например, для транзисторов типа П210 оно меньше на 10 - 15 в. Выход прибора из состояния лавинного пробоя возможен лишь при снятии напряжения. [10]
 |
Конфигурация ОПЗ вблизи поверхности р - п перехода ( а, п - р перехода ( б и р - п перехода с косой фаской ( в. [11] |
Состояние поверхности полупроводника влияет на напряжение лавинного пробоя. При наличии положительного заряда в оксиде или на границе раздела полупроводник - диоксид кремния толщина ОПЗ вблизи поверхности р - п перехода уменьшается ( рис. 1.24, а), а напряженность электрического поля увеличивается. [12]
Таким образом, температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя положителен. [13]
При напряжениях, близких к напряжению лавинного пробоя, коэффициент передачи резко возрастает. [14]
 |
Выключение р-п-р-п структуры с помощью импульса управления. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5