Напряжение - лавинный пробой
Cтраница 2
Если смещение в максимуме достигает величины напряжения лавинного пробоя эмиттера, то дальнейшее увеличение тока управления приводит лишь к увеличению тока лавинного протока эмиттера в этой области и не оказывает влияния на процесс выключения. Поэтому напряжение пробоя эмиттера должно быть максимально большим. [16]
Как видно из рисунка, при напряжении лавинного пробоя поле перехода перекрывает высокоомные области п и i. Напряженность электрического поля резко изменяется в пределах запирающего слоя. [17]
 |
Вольт-амперные характеристики германиевого ( а и кремниевого ( б диода при различных значениях температуры окружающей среды. [18] |
Следует отметить, что с увеличением температуры напряжение лавинного пробоя для кремниевого р - / г-перехода ( рис. 4.8, б) возрастает, поскольку при этом уменьшается средняя длина пробега свободных носителей и затрудняется возникновение ударной ионизации, приводящей к лавинному пробою. Напряжение туннельного пробоя уменьшается с ростом температуры, так как при этом уменьшается ширина запрещенной зоны полупроводника. [19]
Максимальное значение напряжения на коллекторном переходе может достигать напряжения лавинного пробоя этого перехода. В случае схемы с общим эмиттером обратное напряжение прикладывается уже не к отдельному р-п переходу, а к р-п - р структуре в целом. В этом случае коллекторный переход смещен в об ратном, а эмиттерный в прямом направлении. Это различие обусловлено прямым смещением эмиттерного перехода. [20]
Согласно ( 113) и ( 114) напряжение лавинного пробоя у германие - ых диодов при р 20 омсм будет около 500 в, а у кремниевых р 30 ом см) - 750 в. Как следует из табл. 6, обратные напряжения № превышают указанных величин. [21]
Наиболее важным моментом при конструировании диодов является определение напряжения лавинного пробоя. Теоретически это напряжение должно быть достаточным для того, чтобы напряженность поля у перехода достигла максимального значения 250 000 в / см. Таким образом, отношение напряженности электрического поля внутри перехода к приложенному обратному смещению является критическим в определении напряжения лавинного пробоя для приборов этого типа. [22]
Для повышения рабочих напряжений в мощном транзисторе необходимо увеличивать напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода. В эпитаксиально-планар-ных транзисторах, как отмечалось выше ( см. § 4.5), пробой происходит на краях перехода, где переход имеет цилиндрическую область с малым радиусом кривизны. В ме-заэпитаксиально-планарной структуре, показанной на рис. 4.38, а, краевые цилиндрические участки устранены с помощью травления, так что коллекторный переход имеет плоскую форму и характеризуется повышенным напряжением пробоя. Здесь пассивные участки базы / имеют большие толщину и радиус кривизны на краях. Обе структуры позволяют повысить пробивное напряжение до 150 - 200 В, а более сложные структуры высоковольтных транзисторов - до 1000 В. [23]
На рис. 5.19 показаны рассчитанные в работе [634] зависимости напряжения лавинного пробоя от концентрации легирующей примеси для четырех наиболее часто используемых полупроводниковых материалов при 300 К. [25]
У приборов с контролируемым лавинным пробоем с ростом температуры возрастает напряжение лавинного пробоя. [26]
Рассчитав по формуле (13.3) приближенное значение градиента примесей и зная напряжение лавинного пробоя, по известным графикам зависимости напряжения пробоя от р при различных значениях а определяют требуемое значение удельного с & аротив-ления исходного кремния. [27]
 |
Зависимость напряжения эмиттер - коллектор от индуктивности нагрузки. [28] |
Ниже рассматривается случай, когда величина индуктивности нагрузки достаточна для достижения напряжения лавинного пробоя транзистора. [29]
Попытки улучшить лавинные характеристики транзисторов с диффузионной базой за счет увеличения напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода обычно не приводят к желательным результатам, так как это связано с увеличением удельного сопротивления материала коллектора, что увеличивает роль эффекта оттеснения и последовательного сопротивления коллектора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5