Напряжение - тепловой пробой
Cтраница 1
 |
Вольт-амперные характеристики германиевого ( а и кремниевого ( б диода при различных значениях температуры окружающей среды. [1] |
Напряжение теплового пробоя уменьшается с увеличением температуры, так как при этом возрастает температура р - - перехода, а следовательно, уменьшается обратное допустимое напряжение. [2]
 |
К механизму теплового ние термического равновесия изоля-пробоя. ции наступает, если QB QOTB. [3] |
Напряжение теплового пробоя определяется условиями отвода тепла от изоляции и тепловыделениями в самой изоляционной конструкции. Сильное влияние оказывают также размеры и теплопроводности самой изоляции, электродов и других элементов конструкции, а также тепловыделения в токоведущих частях. [4]
 |
Обратная ветвь вольтамперной характеристики р-п перехода с областями пробоя ( а. [5] |
Напряжение теплового пробоя сильно зависит от температуры окружающей среды и условий теплоотвода. [6]
Напряжение теплового пробоя существенно зависит от конструкции диода, которая определяет условия отвода тепла от перехода. Качество теплоотвода определяется тепловым сопротивлением - Rt, показывающим, на сколько градусов повысится температура перехода Д / при повышении рассеиваемой мощности на АР. [7]
Напряжение теплового пробоя обратно пропорционально току через прибор. Поэтому тепловой пробой может возникнуть после того, как обратный ток возрастет благодаря туннельному эффекту или эффекту ударной ионизации. Этим объясняется наличие на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным сопротивлением после участков, соответствующих туннельному или лавинному пробою. [8]
Напряжение теплового пробоя зависит от температуры, а следовательно, от тока длительности и формы импульсов. При некоторых длительностях и скважностях тепловой механизм практически прекращает свое влияние на величину напряжения пробоя. Уже в начале активной области при токах, превышающих 1к о лишь в 2 - 3 раза, напряжение теплового пробоя резко возрастает, и единственной причиной, ограничивающей напряжение коллектора, остается лавинный пробой. [9]
 |
Функция ф ( в для расчета пробивного напряжения твердых диэлектриков.| Зависимость пробивного напряжения фарфора от температуры диэлектрика. [10] |
Напряжение теплового пробоя непосредственно связано с температурой окружающей среды. [11]
Величина напряжения теплового пробоя зависит от температуры окружающей среды. Если Г01ф возрастает, то Ротв становится меньше и пробой наступает при меньшей величине обратного напряжения. [12]
Следовательно, напряжение теплового пробоя полупроводникового диода определяется его обратным током, температурным коэффициентом обратного тока и тепловым сопротивлением. Особое внимание следует обратить на сильную зависимость напряжения теплового пробоя от температуры окружающей среды. [13]
 |
Зависимость электрической прочности твердых диэлектриков ( фарфора от температуры при частоте 50 г ц. [14] |
При расчетах напряжения теплового пробоя в первую очередь должны учитываться тангенс угла диэлектрических потерь и зависимость величины tg6 от температуры. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5