Напряжение - тепловой пробой
Cтраница 2
При расчетах напряжения теплового пробоя в первую очередь должны приниматься во внимание нагревостойкость материала, его угол потерь и зависимость угла потерь или tg 6 от температуры. В цепях переменного тока низкой частоты находят применение материалы, дающие резкое возрастание tg 8 уже при нагреве выше 20 - 30 С; с другой стороны, известны диэлектрики, значение tg 8 которых мало меняется в очень широком интервале температур, вплоть до 150 - 200 С; в последнем случае тепловой пробой сможет развиваться только при достижении этих значений температур. [16]
 |
Вольтамперные характеристики электронно-дырочных переходов при различных видах пробоя. [17] |
Полученное выражение для напряжения теплового пробоя показывает, что эта величина зависит от условий теплоотвода, уменьшаясь при увеличении теплового сопротивления, а также сильно зависит от температуры окружающей среды. Повышение температуры окружающей среды приводит к снижению напряжения теплового пробоя. [18]
Изложенное применимо к расчету напряжения теплового пробоя и при других механизмах образования обратного тока; основное различие только в значениях температурного коэффициента. Так при генерации носителей в области объемного заряда обратный ток пропорционален не п1, а пь что эквивалентно уменьшению значения Г / С / обр вдвое. [19]
При плохом теплоотводе и высокой температуре окружающей среды напряжение теплового пробоя может стать значительно ниже, чем рабочее напряжение транзистора. [20]
Поэтому в соответствии с формулами (6.20) и (6.31) напряжение теплового пробоя будет составлять сотни вольт, а лавинный механизм будет действовать при значительно меньших напряжениях, чем тепловой. Для транзисторов, изготовленных из высокоомного материала, имеющих широкий переход и, следовательно, высокое напряжение электрического пробоя, в соответствии с формулой (6.26) тепловой пробой должен был бы наступить раньше электрического, однако практически маломощные транзисторы обычно изготавливаются из сравнительно низкоомного материала и, кроме того, как уже отмечено, напряжение теплового пробоя этих транзисторов практически недостижимо. Принципиально эти характеристики, снятые импульсным методом, исключающим разогрев, будут загибаться при одном и том же напряжении. На рис. 6.4 приведен пример характеристик, снятых по точкам или на относительно больших по времени импульсах мощности на коллекторе. [21]
 |
Графическое определение температуры электронно-дырочного. [22] |
Очевидно, что напряжение, соответствующее такому случаю, следует считать напряжением теплового пробоя. [23]
 |
Зависимость электрической прочности твердого диэлектрика от температуры ( а л от времени ( б. [24] |
Величину напряжения Uz, соответствующую неустойчивому тепловому равновесию, принято рассматривать в качестве напряжения теплового пробоя. Это напряжение, очевидно, зависит не только от качества диэлектрика, но в сильной степени определяется конструкцией конденсатора, в частности, условиями отдачи тепла. [25]
 |
Масло-барьерный ввод на 110 кв. [26] |
Внутренние барь - нс ц; а-а 7Ф еры повышают электрическую проч-ность масла, а также напряжение теплового пробоя ввода. [27]
Поскольку рассмотренное явление связано с тепловой ионизацией, то напряжение, при котором обратная характеристика претерпевает резкий излом, носит название напряжения теплового пробоя VT. Вполне понятно, что возникновение теплового пробоя более вероятно на постоянном токе, нежели в импульсном режиме, поскольку при прочих равных условиях средняя мощность рассеяния на коллекторе в первом случае будет больше. [28]
 |
Вольтамперные характеристики при различной температуре окружающей среды. германиевого диода типа Д7 ( а. кремниевого диода типа Д211 ( б. [29] |
При повышении температуры окружающей среды уменьшается величина мощности, отдаваемой переходом в окружающую среду и повышается температура перехода, в результате уменьшается напряжение теплового пробоя. С ростом температуры напряжение лавинного пробоя повышается. Это объясняется тем, что с ростом температуры уменьшается длина свободного пробега носителей заряда ( свободному пробегу препятствует хаотическое движение носителей заряда), вследствие чего лавинная ионизация возникает при более высоком напряжении. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5