Напряжение - туннельный пробой
Cтраница 1
Напряжение туннельного пробоя можно считать практически не зависимым от температуры длительности и формы импульсов. [1]
Напряжения туннельного пробоя поэтому не превосходят нескольких вольт. [2]
Напряжение туннельного пробоя пропорционально удельному сопротивлению базы и зависит от типа проводимости. В связи с этим переходы, которые должны выдерживать большие обратные напряжения, необходимо изготовлять с возможно более высокоомной базой и-типа. [3]
 |
Вольт-амперные характеристики перехода, смещенного в обратном направлении, при туннельном ( 1, лавинном ( 2 и тепловом ( 3 видах пробоя. [4] |
Повышение температуры ведет к снижению напряжения туннельного пробоя, так как при этом энергия, необходимая для разрыва валентных связей, уменьшается. [5]
Кроме этого, с ростом температуры перехода за счет тепловой генерации электронов и дырок удельное сопротивление полупроводника уменьшается, что в свою очередь приводит к уменьшению напряжения лавинного и туннельного пробоя. [6]
 |
Вольт-амперные характеристики германиевого ( а и кремниевого ( б диода при различных значениях температуры окружающей среды. [7] |
Следует отметить, что с увеличением температуры напряжение лавинного пробоя для кремниевого р - / г-перехода ( рис. 4.8, б) возрастает, поскольку при этом уменьшается средняя длина пробега свободных носителей и затрудняется возникновение ударной ионизации, приводящей к лавинному пробою. Напряжение туннельного пробоя уменьшается с ростом температуры, так как при этом уменьшается ширина запрещенной зоны полупроводника. [8]
Результаты экспериментальных исследований показывают, что как у сплавных, так и у диффузионных германиевых и кремниевых переходов туннельный пробой наблюдается в основном при удельных сопротивлениях менее 0 1 ом-см. Напряжения туннельного пробоя составляют при этом менее 2 в для германиевых и менее 5 в для кремниевых ] переходов. Пробивные напряжения свыше 7 в для кремниевых и свыше 5 в для германиевых переходов соответствуют лавинному пробою. [9]
 |
Зависимость пробивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [10] |
Так как для туннельного пробоя необходима малая толщина p - n - перехода, он наблюдается в диодах, изготовленных на основе полупроводников с большой концентрацией примесей. Напряжения туннельного пробоя поэтому не превосхбдят нескольких вольт. [11]
 |
Зависимость про. [12] |
Так как для туннельного пробоя необходима малая толщина p - n - перехода, он наблюдается в диодах, изготовленных на основе полупроводников с большой концентрацией примесей. Напряжения туннельного пробоя поэтому не превосходят нескольких вольт. [13]
Туннельный ток резко увеличивается, так как возрастает интервал туннелирования и число электронов в нем. При повышении температуры ширина запрещенной зоны незначительно уменьшается ( см. § 1.2) и напряжение пробоя снижается. Таким образом, температурный коэффициент напряжения туннельного пробоя отрицателен. [14]
При лавинном характере пробоя аст положителен. С увеличением температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается, а при понижении температуры-уменьшается. При туннельном пробое осот становится отрицательным, так как с увеличением температуры напряжение туннельного пробоя уменьшается, с понижением температуры увеличивается. Смена знакааст происходит при напряжении электрического пробоя 5 - 6 В. Для уменьшения аст стабилитрона иногда применяют комбинацию из последовательно включенных ( двух или более), специально подобранных р-л-переходов с противоположным по знаку температурным коэффициентом напряжения. Одним из вариантов температурной компенсации является включение последовательно со стабилитроном диода в прямом направлении. [15]
Страницы: 1 2