Напряжение - туннельный пробой
Cтраница 2
 |
Лавинный пробой. [16] |
Важно отметить, что напряжение Uz пропорционально удельному сопротивлению базы. Именно поэтому у высоковольтных диодов делают базу из как можно более высокоомного материала. Кроме того, из формул ( 2 - 52) и ( 2 - 53) видно, что напряжение туннельного пробоя зависит от типа проводимости базы: для базы типа п оно больше. [17]
В) изготовляются с узким р - n - переходом из сильнолегированного кремния. Для этих переходов характерен туннельный пробой. При туннельном пробое величина напряжения, при котором происходит туннельный переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, уменьшается с уменьшением ширины запрещенной зоны. С ростом температуры ширина запрещенной зоны уменьшается, поэтому уменьшается напряжение туннельного пробоя. [18]
Такой переход электронов возникает при условии, если ширина потенциального барьера, который необходимо преодолеть электронам, достаточно мала. Так как ширина запрещенной зоны полупроводника ( высота потенциального барьера) практически постоянна для данного материала, ширина потенциального барьера Д и его форма определяются напряженностью электрического поля в области объемного заряда. Следовательно, при одинаковых напряженностях поля создаются одинаковые условия для пробоя. Значение критической напряженности электрического поля, при которой происходит туннельный пробой, составляет примерно 3 - Ю7 в / м для германия и около 8 - Ю7 в / м для кремния. Расчет напряжения туннельного пробоя для электронно-дырочного перехода можно произвести, приравняв максимальное значение напряженности электрического поля критическому. [20]
Страницы: 1 2