Cтраница 1
Напряжение смещения на управляющую сетку реактивной лампы поступает со схемы АПЧиФ и зависит от разности между частотой и фазой синхронизирующих импульсов и синусоидальных колебаний задающего генератора. [1]
Схемы с фотоэлементом и тиратроном. [2] |
Напряжение смещения снимается с части сопротивления R3 между катодом и движком. В этом случае тиратрон не зажжен и ток через обмотку реле Р не течет. [3]
Амплитудно-частотная характеристика ОУ ( а, характеристики tiBax ( t к объяснению параметра ОУ - скорости нарастания выходного напряжения trBbn [ ( б. [4] |
Напряжение смещения появляется вследствие разброса параметров элементов ОУ или изменений режимов работы входных транзисторов за счет рассогласования во входных цепях ОУ. Напряжение смещения зависит от температуры и напряжения источника питания. [5]
Напряжение смещения выбирается таким образом, чтобы остаточный ток лампы был порядка 2 - Ю-15 А. [6]
Напряжение смещения должно соответствовать режиму колебаний второго рода. [7]
Напряжение смещения 1 / См - значение напряжения постоянного тока на входе микросхемы, при котором выходное напряжение равно нулю. [8]
Напряжения смещения на обоих транзисторах одинаковы: L / БЭ. За счет одинакового положительного смещения на базах через транзисторы протекают равные токи: / c ni / Б П -, / к. [9]
Напряжение смещения создается сеточным то-ком. Напряжение возбуждения подается а сетку через конденсатор Сс емкостью в несколько сотен пикофарад, а постоянная слагающая сеточного тока проходит через сопротивление Rc, создавая на нем падение напряжения, которое и является напряжением смещения. На рис. 173 показаны направление сеточного тока и знаки потенциалов на концах сопротивления Rc. Величина Rc бывает порядка нескольких тысяч или десятков тысяч ом. [10]
Напряжения смещения и возбуждения подбираются так, чтобы вторая гармоника была максимальной. Применяют иногда и утроители частоты. Полезная мощность при этом уменьшается. [11]
Схема и графики процесса сеточной модуляции. [12] |
Напряжение смещения взято - 20 в, амплитуда напряжения высокой частоты равна 40 в и амплитуда модулирующего напряжения звуковой частоты также 40 в. При отсутствии модуляции импульс анодного тока имеет величину 50 ма. В течение положительного полупериода модулирующего напряжения рабочая точка перемещается из Л в Б, и импульсы возрастают до 100 ма. Отрицательная полуволна звукового напряжения увеличивает смещение до - 60 в, рабочая точка сдвигается в точку В, и лампа запирается. Импульсы анодного тока уменьшаются до нуля. Этот ток питает анодный контур, в котором колебания также будут модулированными. [13]
Напряжение смещения подается через резистор RI; в некоторых схемах УВЧ для этой цели может быть использован дроссель. [14]
Напряжение смещения должно соответствовать режиму колебаний второго рода. [15]