Напряжение - смещение
Cтраница 2
 |
Конденсатор с поверхностной емкостью. а - схема устройства. М - металлический электрод. Д - тонкий слой диэлектрика. ПП - полупроводник. б - упрощенная эквивалентная схема. [16] |
Напряжение смещения, поданное на металл, индуцирует в полупроводнике слой пространственного заряда вблизи поверхности раздела металл - полупроводник; переменное напряжение, приложенное к этой системе, распределяется между слоем диэлектрика, областью пространственного заряда и остальной частью полупроводника. [17]
Напряжение смещения на базах транзисторов VT1 и VT7 стабилизировано с помощью опорного диода VD1 7ГЕ2АК, имеющего опорное напряжение 1 5 В. Этим достигается незначительное изменение усиления тракта промежуточной частоты и сохраняется работоспособность гетеродина при глубоком разряде батарей. Кроме того, применение опорного диода повышает температурную стабильность каскадов, так как с ростом температуры опорное напряжение диода несколько уменьшается, следовательно, уменьшается и смещение на базах транзисторов, препятствуя росту коллекторных токов. [18]
 |
Схема тракта высокой и промежуточной частот радиоприемника Банга. [19] |
Напряжение смещения формируется за счет тока эмиттера транзистора VT4 второго каскада УПЧ. [20]
Напряжение смещения на базе определяет ток покоя коллектора транзистора. [21]
Напряжение смещения, подаваемое на базы транзисторов УПЧИ, выбирается из условия обеспечения максимальных усиления и мощности рассеяния. Мощность рассеяния на коллекторе транзисторов должна быть не более 0 8 допустимой. [22]
Напряжение смещения на базах и затворах регулируемых элементов должно зависеть только от уровня сигнала и не должно зависеть от переменной составляющей звуковой частоты выпрямленного детектором напряжения. При изменении напряжения смещения на базах и затворах регулируемых элементов со звуковой частотой изменяется коэффициент глубины модуляции принимаемых сигналов и появляются нелинейные искажения сигнала. [23]
Напряжение смещения может быть получено автоматически без дополнительного источника напряжения. [24]
Напряжения смещения на базу 77 и питания остальных транзисторов ПУПЧ подают через дроссель Lnp, который является заградительным для токов промежуточной частоты. [25]
Напряжение смещения на сетке модуляторной лампы получается от делителя напряжения, включенного между катодом лампы Л3 и землей. Изменением напряжения смещения лампы Л2 осуществляется плавная регулировка уровня тока несущей частоты. Изменением амплитуды напряжения звуковой частоты на сетке усилительной лампы осуществляется изменение глубины модуляции. [26]
 |
Режимы работы по постоянному току транзисторов. [27] |
Напряжение смещения на базы транзисторов Т1 и Тв выходного каскада снимается с делителя, включенного в цепь эмиттера транзистора Тв предоко-иечного каскада, что позволяет получить малый ток покоя. [28]
Напряжение смещения на базу первого каскада усилителя НЧ транзистора TI подается из эмиттерной цепи транзистора Т8 второго каскада, таким образом осуществляется отрицательная обратная связь по постоянному току между двумя каскадами. В коллекторную цепь транзистора Tg включен согласующий трансформатор Tpi. Выходной каскад собран на транзисторах типа П41 по двухтактной схеме и работает в режиме усиления класса АВ. [29]
Напряжение смещения на базы выходных транзисторов снимается с делителя, включенного в цепи эмиттера предоконечного каскада, что позволило получить малый ток покоя. Все каскады приемника имеют температурную и режимную стабилизацию, что обеспечивает работу лриемника в интервале температур от - 10 до 40 С. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5