Напряжение - включение - тиристор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если вам долго не звонят родственники или друзья, значит у них все хорошо. Законы Мерфи (еще...)

Напряжение - включение - тиристор

Cтраница 2


Семейство вольт-амперных характеристик тринистора представлено на рис. 16.32. Подавая на управляющий электрод соответствующий сигнал, можно менять напряжение включения тиристора.  [16]

Чтобы тиристор Д был выключен, следует обеспечить соотношение вкл о EZ i / сн Е2, где Umn о - напряжение включения тиристора при нулевом токе управляющего электрода.  [17]

Часто токи закрытых тиристоров не превышают допустимого паспортного значения почти на всем участке АО ( см. рис. 11 - 16) ивольт-амперной характери-стики что позволяет определять напряжения включения тиристоров при быстром выполнении измерений.  [18]

Следует отметить, что сокращение времени жизни неосновных носителей должно сопровождаться уменьшением толщин базовых областей, так как в противном случае условие переключения aj а2: г 1 может не выполняться вследствие снижения коэффициентов передачи Oj и а2 - При этом напряжение включения тиристора падает. Если же толщины базовых областей изменяются мало, то возрастают постоянный отпирающий ток управляющего электрода, а также время включения, падение напряжения на открытом тиристоре и удерживающий ток.  [19]

20 Кривые напряжения на тиристоре при измерении времени восстановления управляемости. [20]

К - момент нажатия К; Кг - момент нажатия К2; Д - длительность нахождения тиристора во включенном состоянии; i - время, предоставляемое для восстановления управляемости; / - кривая напряжения на аноде при i BOcci - то же ПРЯ Лвосст; 3 - кривая восстанавливающегося прямого напряжения при испытаниях тиристоров на заводе; Увкл-номинальное напряжение включения тиристора.  [21]

22 Зависимость напряжения включения тиристора от скорости увеличения подаваемого на него напряжения с учетом только барьерной емкости коллекторного перехода ( кри-цая / и только барьерных емкостей эмиттерных переходов ( кривая 2. [22]

Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения анодного напряжения уменьшается.  [23]

Запускающий импульс положительной полярности, поступая через конденсатор С на управляющий электрод тиристора, вызывает появление и дальнейшее, по мере нарастания фронта запускающего импульса, увеличение прямого тока управляющего электрода. Вследствие этого напряжение включения тиристора ( см. рис. 7.16) снижается.  [24]

25 Схема управления макетом трехфазного. [25]

На рис. 130, г показана осциллограмма напряжения ис, на конденсаторе Сг. Конденсатор заряжается до напряжения включения тиристора ТР ( иСг ъ ишл), а в момент открытия тиристора разряжается и напряжение иСг резко уменьшается, практически до нуля.  [26]

27 Методы регулирования тока тиристора. а - амплитудный. б - амплитудно-фазовый. [27]

Амплитудный метод обеспечивает изменение момента включения тиристора tBKJI в течение положительного полупериода и - при изменении напряжения управления му, приложенного к управляющему электроду. Так же как в тиратроне, увеличение ы, приводит к уменьшению напряжения включения тиристора ывкл. На интервале каждого полупериода синусоидального анодного напряжения при заданной функции управления ыу ( t) тиристор включается, а в момент изменения знака и - отключается.  [28]

Триодный тиристор имеет управляющий электрод. При подаче прямого тока ( относительно катода на управляющем электроде при этом положительное напряжение) напряжение включения тиристора уменьшается. При управ-ляк) щем токе, равном току спрямления, тиристор включается и остается во вклю - ченном состоянии и после снятия управляющего тока. Выключить триодный тиристор, как и динистор, мойсно путем уменьшения анодного тока или снятия анодного напряжения.  [29]

Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости эмиттерных переходов сами оказываются зашунтирован-ными малыми активными сопротивлениями эмиттерных переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается.  [30]



Страницы:      1    2    3