Напряжение - включение - тиристор
Cтраница 3
Формирователь прямоугольного напряжения, кроме того, стабилизирует амплитуду выходного сигнала БМУ ( уменьшая тем самым рассеиваемую на управляющем переходе тиристора мощность) и повышает стабильность характеристик БМУ. Резистор RQ необходим для прохождения тока холостого хода БМУ. Сопротивление R0 выбирается таким, чтобы падение напряжения на нем от тока холостого хода не превосходило напряжения включения тиристора; при повышенном напряжении последовательно с управляющим электродом включают кремниевый вентиль В. Это нежелательно при управлении силовыми тиристорами. [31]
Формирователь прямоугольного напряжения, кроме того, стабилизирует амплитуду выходного сигнала БМУ ( уменьшая тем самым рассеиваемую на управляющем переходе тиристора мощность) и повышает стабильность характеристик БМУ. Резистор Ro необходим для прохождения тока холостого хода БМУ. Сопротивление RQ выбирается таким, чтобы падение напряжения на нем от тока холостого хода не превосходило напряжения включения тиристора; при повышенном напряжении последовательно с управляющим электродом включают кремниевый вентиль В. Это нежелательно при управлении силовыми тиристорами. [32]
Формирователь прямоугольного напряжения, кроме того, стабилизирует амплитуду выходного сигнала БМУ ( уменьшая тем самым рассеиваемую на управляющем переходе тиристора мощность) и повышает стабильность характеристик БМУ. Резистор R0 необходим для прохождения тока холостого хода БМУ. Сопротивление R0 выбирается таким, чтобы падение напряжения на нем от тока холостого хода не превосходило напряжения включения тиристора; при повышенном - - напряжении последовательно с управляющим электродом включают кремниевый вентиль В. Это нежелательно при управлении силовыми тиристорами. [33]
Недостатком схемы подпитки с применением геркона является инерционность в срабатывании магнитоуправляемого контакта, в результате чего излишнее время потенциал подпитки прикладывается к электродам. Этот недостаток преодолен в бесконтактной, дозированной схеме подпитки, приведенной на рис. IX.4, в. По мере разряда С2 растет напряжение на конденсаторе СЗ. Когда напряжение исз достигает напряжения включения тиристора Т, он откроется и на электроды лампы начнут поступать импульсы одно-полупериодного выпрямленного тока. [34]
 |
Время задержки и минимальная длительность импульса управления в зависимости от управляющего тока. [35] |
Второе слагаемое в выражении для ic мало, и его можно не учитывать. Действие емкостного тока совершенно аналогично действию основного ( управляющего) тока через тиристор, поэтому появление этого тока может быть причиной включения тиристора. Отметим, что ток управления первоначально воздействует лишь на один из крайних р-п-переходов П3 ( см. рис. I, а), в то время как емкостный ток воздействует на оба крайних перехода Пг и Па, поэтому при включении емкостным током время включения тиристора сокращается. Известно, что критическая скорость нарастания напряжения, приближающегося к напряжению включения тиристора, зависит от температуры перехода. Величина ( dUnp / dt) Kp может меняться на два порядка в диапазоне температур 25 - 125 С. [36]
Триодный тиристор кроме анодного и катодного выводов имеет еще вывод управляющего электрода УЭ. Последний подключается либо к ближайшей к катоду / - области, либо к ближайшей к аноду области. В соответствии с этим различают катодное и анодное управление тиристором. Первое подключение более распространено. Структура тиристора с катодным управлением, его условное изображение и ВАХ приведены на рис. 10.28. При изменении напряжения управления U изменяется и напряжение включения тиристора вкя. [37]
Страницы: 1 2 3