Cтраница 1
Цоколевка и основные размеры кремниевых полевых транзисторов. [1] |
Напряжение стока - отрицательное относительно истока, на за-творе - положительное. [2]
Если напряжение стока превышает напряжение насыщения, то ток стока при фиксированном значении напряжения затвора перестает зависеть от напряжения стока. [3]
Увеличение напряжения стока вызывает рост тока и омического падения напряжения вдоль канала. Последнее добавляется к смещающему напряжению затвор - канал, что приводит к дополнительному расширению обедненной области и перекрытию канала. При напряжениях стока, превышающих напряжение отсечки, образуется уже знакомая нам область объемного заряда и происходит насыщение тока стока. Этот режим называется режимом перекрытия полевого транзистора. [4]
Изменение напряжения стока является выходным электрическим сигналом схемы. [5]
Повышение напряжения стока в конце концов приводит к электрическому пробою n - p - перехода, и ток стока начинает лавинообразно возрастать, что показано на рисунке штриховыми линиями. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора. [6]
Далее, напряжение стока, при котором кривая выходит на насыщение, равно t / зи - t / n, и ток насыщения стока становится пропорционален величине ( t / зи - - t / n) 2, как указывает последняя формула. [7]
Следовательно, увеличение напряжения стока ( 7с, необходимое для роста тока / с, вызывает сужение канала - вблизи стока. [8]
При дальнейшем увеличении напряжения стока уменьшается длина канала. [9]
При дальнейшем увеличении напряжения стока горловина удлиняется и на ней падает все дополнительное напряжение стока, сверх того значения, при котором произошло условное перекрытие канала. В результате происходит не отсечка, а лишь ограничение тока канала / K const, т.е. этот ток становится практически независимым от [ / си. [10]
При дальнейшем увеличении напряжения стока горловина удлиняется и на ней падает все дополнительное напряжение стока, сверх того значения, при котором произошло условное перекрытие канала. В результате происходит не отсечка, а лишь ограничение тока канала / к const, т.е. этот ток становится практически независимым от / си. Такой процесс называется насыщением, а напряжение и ток, при котором он возникает - соответственно напряжением насыщения t / синас и током насыщения / кнас. [11]
Схема включения полевого транзистора. [12] |
Этот ток определяется напряжением стока и сопротивлением канала, зависящим от его сечения. [13]
В области больших значений напряжения стока ( 7СИ ток стока / с начинает резко возрастать - ПТУП попадает в режим лавинного пробоя. Лавинное размножение носителей заряда начинается при достижении критического значения напряженности электрического поля в структуре ПТУП. Обычно пробой происходит вблизи стока, где р-п переход имеет наибольшую кривизну, или в месте выхода р-п перехода на поверхность. [14]
При чрезмерно большом увеличении напряжения стока / си наступает пробой р-л-перехода и ток в цепи сток - затвор лавинообразно нарастает. Пробой возникает в области стока, где разность потенциалов на переходе максимальна. [15]