Напряжение - сток
Cтраница 4
Если напряжение Исп 0 и не слишком велико, то канал проявляет себя как обычное сопротивление, при этом ток стока будет увеличиваться пропорционально напряжению стока. Эта область на выходных ВАХ называется линейной областью работы транзистора. [46]
Это может оказаться выгодным, так как напряжение на нем стремится к нулю при малых токах стока; с другой стороны, это значит, что напряжение стока меняется линейно вместе с током стока, а не имеет довольно резкую характеристику насыщения, как у мощного биполярного транзистора. Мощные МОП-транзисторы выпускаются также в виде / 7-канальных приборов, хотя среди n - канальных приборов их разновидностей гораздо больше. [47]
Си причем изменения напряжений затвора и стока противоположны: при повышении напряжения затвора возрастает ток стока и напряжение стока снижается, а при уменьшении напряжения затвора напряжение стока увеличивается. Однакс вследствие очень малого влияния напряжения стока на ток стока ( высокое внутреннее сопротивление Ri) передаточная характеристике транзистора при наличии нагрузки остается практически такой же. [48]
Здесь / - ток стока; U3 - напряжение на затворе в схеме с общим истоком; U0 - - пороговое напряжение; С / ст - напряжение стока; К - постоянная прибора. [49]
Иногда пользуются еще третьим параметром - коэффициентом усиления ц, который показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока. [50]
Как мы уже знаем, для того, чтобы электрическое поле в канале оставалось неизменным по мере уменьшения длины канала, в соответствии с правилом масштабирования необходимо понижать напряжение стока. Однако на практике для работы БИС используются стандартные постоянные напряжения. [51]
При выводе уравнения выходной ВАХ МДП-транзистора положим для простоты, что исток соединен с подложкой, Итогом вывода должно быть уравнение, выражающее зависимость тока стока / с от напряжения стока l / си и напряжения затвора 1 / зи. [52]
 |
С токовые характеристики н-каиалыюго МОП-транзистора тина TN0104 с низким поротным напряжением, и выходные характеристики. й-переда точные ха рактеристики. [53] |
Упражнение 3.19. МОП-транзистор IRF52O, переключающий 2-амперную на ] рузку, выключается за 100 нс ( при переключении потенциала затвора с 10 В до потенциала земли), в течение которых напряжение стока изменяется от 0 до 50 В. [54]
Это не имеет значения, если на затвор подаются сигналы возбуждения от низковольтной цифровой логики, однако транзистор мгновенно выйдет из строя, если на затвор ему подать сигнал со стока предыдущего МОП-транзистора с полной амплитудой напряжения стока. [55]
Кроме того, отрицательный заряд ионов акцепторов стоковой р-области наводит в области канала дополнительный заряд дырок. С ростом напряжения стока отрицательный заряд ионов увеличивается, сопротивление канала падает и ток стока возрастает. [56]
На втором участке вольт-амперной характеристики ток стока почти не растет при увеличении напряжения стока. Эта область напряжений стока соответствует насыщению или перекрытию канала. В результате автоматически устанавливается некоторая малая ширина канала. [57]
В полевом транзисторе почти все напряжение стока падает на короткую перекрытую часть канала. Поэтому второй участок статических вольт-амперных характеристик полевого транзистора, когда происходит насыщение, связан также с уменьшением удельной проводимости материала канала из-за уменьшения подвижности носителей. [58]
Си причем изменения напряжений затвора и стока противоположны: при повышении напряжения затвора возрастает ток стока и напряжение стока снижается, а при уменьшении напряжения затвора напряжение стока увеличивается. Однакс вследствие очень малого влияния напряжения стока на ток стока ( высокое внутреннее сопротивление Ri) передаточная характеристике транзистора при наличии нагрузки остается практически такой же. [59]
Такое увеличение тока утечки в транзисторах с коротким каналом из-за двумерного распределения потенциала уже не удовлетворяет условию плавного приближения. Это проявляется в том, что напряжение стока изменяет распределение потенциала перед истоком, и ток от истока к стоку протекает уже не через канал, а по объему полупроводника. Величина такого объемного тока зависит также от концентрации примеси в подложке и от глубины диффузии областей истока и стока. [60]
Страницы: 1 2 3 4