Обратное напряжение - смещение
Cтраница 1
Обратное напряжение смещения [ / зи при котором наступает режим отсечки и транзистор оказывается запертым ( ток через него не протекает, / с 0), называют напряжением отсечки [ / ЗИотс. При этом значении напряжения p - n - переходы смыкаются и поперечное сечение канала становится равным нулю. [1]
При обратном напряжении смещения V электронная область находится под положительным потенциалом относительно дырочной области. Через р - гс-переход может идти только очень небольшой ток. [2]
При обратном напряжении смещения V ( га-область находится под положительным потенциалом относительно р-области) потенциальный барьер возрастает до величины е ( ф У) - Толщина обедненного слоя увеличивается, и через переход может идти небольшой ток. Таким образом, р - n - переход обнаруживает выпрямляющие свойства. [3]
 |
Схематическое изображение процесса релаксации емкости МДП-структуры при обратном напряжении смещения ( а и кривая релаксации емкости С с Течением времени t ( б. [4] |
При приложении к МДП-структуре обратного напряжения смещения в начальный момент обедненный слой расширяется. Уменьшение концентрации носителей в обедненном слое при воздействии постоянного напряжения по сравнению с ее равновесным значением, соответствующим нулевому напряжению смещения, стимулирует генерацию электронно-дырочных пар. Если в структуре используется материал р-типа, то образующиеся дырки перемещаются под действием электрического поля к краю обедненного слоя и, компенсируя ионизированные акцепторы, уменьшают ширину Wj обедненного слоя и увеличивают емкость структуры. Релаксация емкости при наличии постоянного напряжения смещения обусловлена по существу перераспределением зарядов между некомпенсированными акцепторами, расположенными на границе обедненного слоя, и областью у поверхности диэлектрика, где образуется инверсионный слой, содержащий такое же количество зарядов, каким обладали акцепторы. Этот процесс вызывает увеличение емкости со скоростью, определяемой интенсивностью генерации носителей центрами, расположенными в запрещенной зоне. [5]
В плоскостных транзисторах при больших обратных напряжениях смещения на переходе коллектор - база электрическое поле в области объемного заряда коллектора может достигать величин, - при которых наступает лавинное умножение носителей заряда. [6]
Падовани для термически активированного туннелирования при обратном напряжении смещения показывает, что при наличии некоторого количества ловушек туннельный ток может значительно увеличиться. [7]
На оба p - n - перехода подается обратное напряжение смещения. [8]
Отсюда видно, что для высоких частот и обратного напряжения смещения генерационный шум равен двум третям полного дробового шума. [9]
Заметим, что для характеристики варакторов, применяемых при обратных напряжениях смещения, удельное сопротивление полупроводника должно находиться из величины последовательного сопротивления диода, смещенного также в обратном направлении, так как величина последовательного сопротивления в прямом направлении ( которую легко найти путем измерения на постоянном токе или низкой частоте) не дает интересующего нас значения удельного сопротивления из-за влияния инжекции носителей заряда. [10]
Емкость коллекторного перехода германиевого сплавного транзистора равна 10 пФ при обратном напряжении смещения 10 В. [11]
А 10 - 7 м2, э 0 3 В и обратное напряжение смещения равно 5 В. [12]
 |
График зависимости коэффициента уси ления кремниевого дир-да от плотности тока электронного луча. / - теоретическая кривая при 8кр 2 мА / см2. 2 - при Uy 16 кВ, U 30 В, р 10 000 Ом-си. [13] |
В других структурах с / j - л-переходом зависимость коэффициента усиления от обратного напряжения смещения и плотности тока электронного луча остается такой же, как и в рассмотренных выше. [14]
 |
Принципиальная схема модулятора на варикапах ( а, используемого для создания модуляционного операционного усилителя ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4