Cтраница 2
В ка - естве варикапов наиболее часто применяют кремниевые полупроводниковые диоды при обратном напряжении смещения, а также конденсаторы с сегнетодиэлектриками. [16]
Точки на зависимости Z ( u) соответствуют: 1 - 4 - обратным напряжениям смещения, причем 3 - см; 4 - ипр; Э - нулевому смещению; Н - - - - прямому смещению, при котором барьер залит носителями заряда; к. [17]
В том случае, когда под действием соответствующего импульса напряжения инжектируются только основные носители, обратное напряжение смещения и толщина обедненной области уменьшаются. Если ( при инжекции под действием света или прямого напряжения смещения) вводятся как основные, так и неосновные носители, то отношение их концентраций определяется величиной проходящего тока. [18]
Запрещается вынимать и устанавливать диод в диодную камеру при введенной СВЧ мощности, подавать СВЧ мощность при отсутствии обратного напряжения смещения и теплоотво-да с тепловым сопротивлением менее 1 С / Вт, использовать при пайке активные флюсы, разрушающие конструкцию диодов. [19]
Это тот же самый ток, который вследствие теплового освобождения неосновных носителей течет через р-п-переход плоскостного диода при обратном напряжении смещения. [20]
Запрещается: вынимать и устанавливать диод в диодную камеру при введенной СВЧ мощности; подавать СВЧ мощность при отсутствии обратного напряжения смещения и теплоотвода с тепловым сопротивлением менее 1 С / Вт; использовать при пайке активные флюсы, разрушающие конструкцию диодов. [21]
Запрещается: вынимать и устанавливать диод в диодную камеру при введенной СВЧ мощности; подавать СВЧ мощность при отсутствии обратного напряжения смещения и теплоотзода с тепловым сопротивлением менее 1 С / Вт; использовать при панке активные флюсы, разрушающие конструкцию диодов. [22]
В настоящей работе предлагается метод определения удельного сопротивления высокоомной области варактора, основанный на измерении зависимости СВЧ импеданса диода от обратного напряжения смещения. [23]
Емкость коллекторного перехода Ск - емкость, измеренная между коллекторным и базовым выводами на заданной частоте при отключенном эмиттере и обратном напряжении смещения на коллекторе. Эта емкость оказывает существенное влияние на работу транзистора в диапазоне высоких частот. [24]
Положительные значения U и / представляют прямое напряжение смещения и прямой ток, в то время как отрицательные значения U и / представляют обратное напряжение смещения и обратный ток. [25]
Очень малое время жизни носителей, достигающее 10 10 с, можно определить, измеряя релаксационную кривую емкости структуры металл-диэлектрик-полупроводник ( МДП-структуры) после приложения достаточно длительного импульса обратного напряжения смещения. Создавая на кремниевой пластине матрицу из точечных металлических контактов, можно найти распределение времени жизни носителей по поверхности образца. [26]
Сстр - емкость структуры; гпр - прямое сопротивление потерь ( активная составляющая полного сопротивления диода) при определенном прямом токе смещения; г0бР - обратное сопротивление потерь при определенном обратном напряжении смещения. [27]
Сстр - емкость структуры; гпр - прямое сопротивление потерь ( активная составляющая полного сопротивления диода) при определенном прямом токе смещения; r0ep - обратное сопротивление потерь при определенном обратном напряжении смещения. [28]
В случае прямого смещения потенциал V положителен, а в случае обратного смещения отрицателен. Поэтому при увеличении обратного напряжения смещения ( V отрицательно) ехр ( - eV / kT) в выражении (4.8) стремится к нулю. [29]
Собственная емкость кремниевых стабилитронов непостоянна. Она зависит от величины обратного напряжения смещения U. При нулевом смещении емкость максимальна. [30]