Отпирающее напряжение
Cтраница 1
 |
Схемы элементов модели подстанции. [1] |
Отпирающее напряжение на сетку тиратрона Л300 подается волной напряжения в той точке модели эквивалентной схемы подстанции, к которой подключен разрядник. [2]
Отпирающее напряжение на управляющем электроде UGT - это наименьшее значение постоянного напряжения на управляющем электроде, которое необходимо для переключения тиристора из закрытого состояния в открытое. Измеряется неотпирающее напряжение при 25 С, максимально и минимально допустимой температуре перехода тиристора и при напряжении в закрытом состоянии, равном 12 В. [3]
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде f / у.от. и - значение амплитуды импульса напряжения на управляющем электроде тиристора, соответствующее импульсному отпирающему току управляющего электрода. [4]
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при 4 кр 30 мА, Спрзкр Ю В. [5]
Импульсное отпирающее напряжение t / от. [6]
Импульсное отпирающее напряжение UOT n - минимальное значение амплитуды импульса основного напряжения с определенной длительностью фронта, которое обеспечивает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое. [7]
Если отпирающее напряжение смещения на базе транзистора в силу неудачного выбора значений параметров Rl, R2 и R3 недостаточно велико и исходное значение У21 мало, то для выполнения второго условия самовозбуждения требуется обеспечить большой коэффициент обратной связи. В этом случае амплитуда колебаний возрастает скачком, а режим получил название жесткого режима самовозбуждения. [8]
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода при / v, от 100 мА, 7 213 К. [9]
Импульсное отпирающее напряжение управляющего электрода при / у от. [10]
Постоянное отпирающее напряжение управляющего электрода при t / пр. [11]
При больших значениях отпирающего напряжения характеристики заметно сдвигаются вдоль горизонтальной оси. Аналогичный вид характеристик наблюдается для всех без исключения типов транзисторов как германиевых, так и кремниевых. [12]
При больших значениях отпирающего напряжения свойства перехода коллектор - эммитер приближаются к свойствам идеального источника напряжения, а при больших запирающих - к свойствам идеального источника тока. На рис. 4 - 3 показаны характеристики транзистора в прямом ( сплошая линия) и инверсном ( штриховая) включениях, характеризующие открытое и закрытое состояния. Прямые 1 н 1 соответствуют режиму открытого ключа и характеризуются малым сопротивлением перехода коллектор - эмиттер, пропорциональным котангенсу угла наклона к абсциссе, при большом токе базы. Прямые 2 и У характеризуют закрытое состояние транзистора при отрицательном токе базы. [13]
 |
Зависимость коэффициента усиления в диапазоне температур 20 -. - - - - 60 С. [14] |
Под воздействием достаточно большого отпирающего напряжения Uflt или UЗб транзистор находится в режиме насыщения базы неосновными носителями, инъектируемыми обоими переходами. После прекращения действия этого напряжения база транзистора остается еще екоторое время сильно насыщенной носителями, и для начала спадания коллекторного тока требуется определенное время т ( см. рис. 2.29), в течение которого транзистор еше открыт и находится в области насыщения. Это время определяется скоростью ухода носителей из базы через переходы и временем их рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2 3 4