Пробивное напряжение

Cтраница 1

Пробивное напряжение определяют при кратковременном наложении напряжения, которое должно повышаться равномерно начиная от нуля до наступления пробоя со скоростью примерно 500 в - 1 / се в секунду. Напряжение измеряют с помощью вольтметра, включенного на стороне низшего напряжения. [1]

Пробивное напряжение для прессшпана толщиной 1 мм равно 18 000 В. Два конденсатора с изолирующим слоем из такого прессшпана соединены последовательно. [2]

Пробивное напряжение, или потенциал пробоя, сначала возрастает с. [3]

Пробивное напряжение, замеренное на плоских электродах при толщине битумного слоя между ними 1 мм, составляет 10 - 35 тыс. в. Пробивное напряжение битума повышается с увеличением твердости битума и снижается с ростом температуры нагрева. [4]

Пробивное напряжение является функцией времени. [5]

Схема замещения изоляции с газовым включением на постоянном напряжении. [6]

Пробивные напряжения обычно определяются на образцах, моделирующих реальные изоляционные конструкции. Как показывает опыт, величины пробивных напряжений ( например, одноминутных) подвержены статистическому разбросу. Для определения интегральной кривой вероятности пробоя Рщ Щ требуеся испытывать большое количество образцов, так как после пробоя образец уже непригоден для дальнейших испытаний. [7]

Пробивное напряжение зависит не только от изоляционного материала, но и от конфигурации проводников, между которыми проложена изоляция. Дело в том, что от формы проводников зависит равномерность электрического поля. [8]

Пробивные напряжения для переходов измеряются при заданном уровне обратного тока, достаточно высоком с тем, чтобы оказаться на участке пробоя ( область постоянного напряжения) вольт-амперной характеристики. Однако измерения в этой области могут привести к повреждению транзистора избыточной рассеиваемой мощностью. По этой причине напряжение пробоя обычно задается в предпробойной области ( область почти постоянного тока) вольт-амперной характеристики. [9]

Пробивное напряжение и напряжение возникновения коронного разряда, определенные по приведенным выражениям, будут верны только в том случае, если между токонесущими элементами конструкций нет твердых диэлектриков. [10]

Схематическая конструкция переходов транзистора типа П210. [11]

Пробивное напряжение уменьшается, как показали опыты, при больших механических напряжениях в переходе. При некоторой величине изгибающего усилия происходит уменьшение пробивного напряжения. Свойства перехода восстанавливаются после снятия изгибающего усилия. [12]

Пробивное напряжение, измеренное с использованием коротких ( - 1 мксек) импульсов обратного напряжения. Хотя есть основание считать, что лавинный пробой в полупроводнике под действием СВЧ напряжения наступает при большем напряжении, чем пробой в указанном выше импульсном режиме, в настоящее время нет на этот счет достоверных количественных данных. [13]

Пробивное напряжение позволяет оценить величину преобразуемой мощности, а предельная частота - эффективность умножения. Структуры варакторов и ограничительных диодов могут быть выбраны таким образом, чтобы перечисленные выше параметры были оптимальны. [14]

Пробивное напряжение такой батареи равно пробивному напряжению того из конденсаторов в батарее, у которого оно наименьшее. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5