Cтраница 4
Пробивное напряжение, обусловленное нагревом диэлектрика, зависит от частоты тока, условий охлаждения, окружающей температуры, нагревостойкости изоляционного материала И др. При расчетах кабеля или других конструкций при применении изоляционных материалов принимается во внимание нагревостойкость материала, угол диэлектрических потерь этого материала и зависимость tg S от температуры. [46]
Пробивное напряжение в состоянии растяжения определяют на полосках размером 30X400 мм. На образцы в растянутом состоянии накладывают электродное устройство и определяют пробивное напряжение на электродах диаметром 6 мм в пяти точках на каждом образце. [47]
![]() |
Зависимость tg 8 от температуры для конденсаторной бумаги, пропитанной компаундом ( 80 / о канифоли - f - 20 / o трансформаторного масла. [48] |
Пробивное напряжение обозначается ( / пр и измеряется чаще всего в киловольтах. [49]
Пробивное напряжение обозначается Uпр и измеряется чаще всего в киловольтах. [50]
Пробивное напряжение мало возрастает с увеличением расстояния между электродами. [51]
Пробивное напряжение при тепловом пробое связано с рядом факторов: частотой тока, условиями охлаждения, температурой окружающей среды и др. Кроме того, напряжение теплового пробоя зависит от нагревостойкости материала. Органические диэлектрики, при прочих равных условиях, имеют более низкие значения пробивных напряжений при тепловом пробое, чем неорганические, только вследствие их малой нагревостойкости. [52]
Пробивное напряжение, хотя оно и не является параметром СВЧ-диодов, должно быть большое. Во-первых, это необходимо для предотвращения детектирования на обратной ветви ВАХ тока от гетеродина, который выдает переменное напряжение с относительно большой амплитудой. Во-вторых, это необходимо для повышения надежности СВЧ-диода, так как на вход радиоприемных устройств могут попадать посторонние радиоимпульсы большой мощности. Для обеспечения достаточных значений пробивного напряжения, а также для уменьшения барьерной емкости концентрация примеси в базе около выпрямляющего электрического перехода должна быть малой, что противоречит требованию малости сопротивления базы. [53]
Пробивное напряжение обозначается С / пр и измеряется чаще всего в киловольтах. [54]
Пробивное напряжение при тепловом пробое связано с рядом факторов: частотой поля, условиями охлаждения, температурой окружающей среды и др. Кроме того, напряжение теплового пробоя зависит от нагревостойкости материала. Органические диэлектрики, при прочих равных условиях, имеют более низкие значения пробивных напряжений-при тепловом пробое, чем неорганические, только вследствие их малой нагревостойкости. [55]
Пробивное напряжение обозначается [ / пр и измеряется чаще всего в киловольтах. [56]
Пробивное напряжение - минимальное напряжение, при котором происходит пробой диэлектрика. [57]
Пробивное напряжение р - n переходов многих маломощных биполярных и полевых транзисторов измеряется единицами вольта и даже меньше. И если рабочая часть паяльника имеет недостаточную изоляцию от нагревательной обмотки, то он может стать причиной порчи транзистора. Поэтому при монтаже транзисторов желательно пользоваться низковольтным паяльником, питая его от понижающего трансформатора и, кроме того, заземляя корпус паяльника снаружи. [58]
Пробивное напряжение коллекторного ( и эмиттерного) перехода планарного или эпитаксиально-планарного транзистора может оказаться низким, во-первых, из-за инородных включений и дефектов, которые могут быть в исходном кристалле полупроводника или появиться в области объемного заряда переходов в процессе их формирования. Особенно велика вероятность инородных включений, трещин и других дефектов вблизи поверхности кристалла. Они остаются там после различных обработок поверхности. [59]
Пробивное напряжение является функцией времени. [60]