Обратное пробивное напряжение

Cтраница 1

Обратное пробивное напряжение Uo6 п определяется как предельная величина обратного напряжения, которое диод выдерживает кратковременно без нарушения его нормальных свойств. [1]

Обратное пробивное напряжение ъ выпрямителей определяется, как указано выше, сопротивлением исходного материала и глубиной залегания перехода. [2]

Схемы замещения вентиля. [3]

В области обратных пробивных напряжений влияние температуры проявляется таким образом, что значение пробивного напряжения может увеличиваться или уменьшаться с повышением температуры в зависимости от того, какой механизм пробоя преобладает. [4]

Наименьшая амплитуда обратного пробивного напряжения - значение обратного напряжения, которое может кратковременно выдержать диод. Увеличение этого, напряжения даже на малую величину выводит диод из строя. [5]

Выпрямительные германиевые столбы. [6]

Строгое постоянство обратного пробивного напряжения, называемого напряжением стабилизации, позволяет использовать эти приборы для стабилизации напряжения. Обычно кремниевый стабилитрон используется как эталонный элемент в схемах электронных стабилизаторов напряжения. [7]

Они характеризуются следующими параметрами: обратным пробивным напряжением, наибольшим обратным рабочим напряжением, наибольшим допустимым выпрямленным током, внутренним сопротивлением. [8]

Вольтамперная характеристика р-п перехода. [9]

Характеристикой, чувствительной к состоянию поверхности полупроводника, является и величина обратного пробивного напряжения. На рис. 9.15 6 показан несимметричный р-п переход с вы-сокоомной / 7-областью. При заряжении поверхности отрицательным знаком у поверхности этой области образуется обогащенный слой, вызывающий уменьшение толщины перехода. При приложении к переходу обратного смещения напряженность поля у поверхности, где переход сужен, окажется выше, чем в объеме полупроводника, вследствие чего более вероятным становится поверхностный пробой. [10]

Устройство точечного.| Устройство плоскостного германиевого диода. [11]

Наименьшее обратное пробивное напряжение-значение обратного напряжения, которое может кратковременно выдержать диод данного типа Если приложенное к диоду обратное напряжение даже немного превзойдет обратное пробивное напряжение, то обратный ток резко возрастет до недопустимо большого значения и диод может выйти из строя. [12]

С повышением температуры окружающей среды несколько возрастают ток в закрытом состоянии и обратный ток, что приводит к некоторому снижению напряжения переключения и обратного пробивного напряжения, соответственно уменьшается значение удерживающего тока. При отрицательных температурах увеличивается минимальное значение отпирающего тока управления, а также время включения по управляющему электроду тринистора, несколько возрастает напряжение приборов в открытом состоянии. [13]

Точечные диоды из фосфида галлия выпрямляют при 800 С, а сплавные вентили из фосфида галлия имеют коэффициент выпрямления, равный 10 при 500 С, и обратное пробивное напряжение более 100 в. Эти значения ограничены качеством исходных материалов. [14]

Если принять меры для предотвращения перегрева p - n - перехода обратным током ( усилить теплоотвод от перехода, ограничить величину обратного тока внешним сопротивлением), то становится возможной работа диода при обратном пробивном напряжении, так как процесс вырывания электронов из валентной зоны является обратимым и не приводит к разрушению кристалла. В таком режиме самое незначительное увеличение обратного напряжения приводит к резкому возрастанию числа свободных электронов и дырок за счет эффекта Зенера и эффекта лавинного умножения. [15]

Страницы: 1 2