Обратное пробивное напряжение

Cтраница 2

Не менее важное значение имеет предварительная тщательная откачка приборов, работающих с газовым наполнением ( тиратроны, игнитроны, газотроны, газосветные лампы - и др.), поскольку наличие малейших посторонних газообразных примесей к основному газу-наполнителю может сильно изменить установленный 1ютешшал аажигщшя, обратное пробивное напряжение, падение напряжения между электродами, а в газосветных лампах - характер и цвет свечения. [16]

В р - п - р - n - переключателях напряжение, при котором происходит пробой центрального коллекторного перехода, определяет верхнюю границу области, в которой прибор можно использовать в прямом направлении. Подобным же образом обратное пробивное напряжение одного или обоих эмиттеров ограничивает напряжение, которое прибор способен заблокировать в обратном направлении. Преждевременный пробой может возникнуть из-за неконтролируемых состояний на поверхности или серьезных дефектов в переходе, но нас сейчас интересуют другие причины пробоя. Ниже рассматривается важный вопрос о лавинном пробое, а поскольку он играет очень большую роль в работе р - п - р - и-приборов, необходимо ознакомиться с этим вопросом обстоятельнее. [17]

Наименьшее обратное пробивное напряжение - значение обратного напряжения, которое может кратковременно выдержать диол данного типа. Если приложенное к диоду обратное напряжение даже немного превзойдет обратное пробивное напряжение, то обратный ток резко возрастет до недопустимо большого значения и диод может выйти из строя. [18]

Превышение максимального допустимого тока приводит к сильному нагреву стабилитрона и повреждению его в результате теплового пробоя. Минимальное значение тока определяется устойчивостью процесса в р - / г-переходе при достижении обратного пробивного напряжения. [19]

Вторая группа отказов связана с накоплением на поверхности полупроводника двуокиси кремния, а в объеме, близком к поверхности, зарядов, изменяющих состояние р-п переходов, и появление поверхностных каналов. В результате этого происходит увеличение токов утечки, отсутствие насыщения вольт-амперной характеристики перехода коллектор-база, омическое шунтирование эмиттера с коллектором, снижение обратного пробивного напряжения на коллекторе, уменьшение коэффициента усиления по току, омическое шунтирование эмиттера с базой, увеличение шумов. [20]

Плоскостные германиевые диоды Д7.| Принцип устройства точечного диода. [21]

До последнего времени выпускались германиевые плоскостные диоды семи типов от ДГ-Ц21 до ДГ-Ц27. Первые четыре типа этих диодов имеют / ЛДКС 300 ма, U пр не более 0 5 в, I обрмакс не более 0 5 ма, а значения иобрмакс У них соответственно равны 50, 100, 150 и 200 в. Обратное пробивное напряжение у всех диодов составляет не менее 1 5 U0бРмакс - В течение промежутка времени 0 1 сек диоды допускают импульс тока до 25 а. Все эти диоды могут применяться при температурах окружающего воздуха от - 60 до 70 С, однако отклонение температуры от, 20 С в обе стороны приводит к ухудшению выпрямляющих свойств. Кроме того, при температурах выше 20 С во избежание перегрузки диода следует уменьшать выпрямляемое переменное напряжение или выпрямленный ток. Работа при температурах выше 70 С может привести к порче диода. [22]

Прежние объяснения [18] явлений пробоя, наблюдавшихся в р - n - переходах, основывались на теории, первоначально выдвинутой Зенером для объяснения пробоя в изоляторах. Поэтому рассматриваемое явление объясняли, да и сейчас еще иногда ( ошибочно) объясняют как зенеровский пробой. Для обратных пробивных напряжений выше приблизительно 6 в для кремния и 3 в для германия экспериментальные данные значительно расходятся с тем, что дает теория внутренней автоэлектронной эмиссии. Схематически это показано на фиг. [23]

Создан на основе использования высокоспециализированной техники производства, в которой употребляются точное электрохимическое травление металла и покрытие для обеспечения малых допусков на ширину базы. Благодаря этому уменьшается толщина базового слоя и поэтому увеличивается усиление мощности на высоких частотах, p - n - i - p - и n - p - i - n - плоскостные триоды отличаются от обычных р-п - р и п-р-п-шюскостных триодов тем, что базовые и коллекторные области разделены толстым обедненным слоем полупроводника i-типа. Широкий коллекторный обедненный слой обеспечивает относительно небольшую коллекторную емкость и допускает высокое обратное пробивное напряжение, а также позволяет сделать область базы чрезвычайно тонкой и низкоомной, что создает одновременно низкое распределенное сопротивление базы и очень высокую критическую частоту / кр. [24]

В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В. Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя ( в пределах 1 мкА - 1 мА) и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой. Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем. [25]

Эти приборы по своей конструкции подобны транзисторам, а по вольт-амперным характеристикам - тиратронам. На рис. 3 - 57 приведена вольт-амперная характеристика такого вентиля. В области обратного напряжения она подобна характеристике p - n - перехода или, иначе говоря, характеристике диода. Напряжение Uo6p соответствует обратному пробивному напряжению. В области проводимости вентиль имеет два состояния: высокого и низкого сопротивления. В этом положении вентиль находится до тех пор, пока ток не становится меньше / у. При t / y вентиль переходит в запертое состояние. Второй способ отпирания вентиля состоит в подаче на его электрод импульса напряжения, положительного по отношению к катоду. [26]

Страницы: 1 2