Более высокое пробивное напряжение

Cтраница 2

Электрическая прочность проводов с эмалево-волок-нистой изоляцией определяется главным образом качеством эмалевой изоляции и толщиной ее. Более высокое пробивное напряжение у проводов больших диаметров объясняется увеличенной толщиной эмалевой изоляции. [16]

Типичные осциллограммы импульсного пробоя главной изоляции машин. а - волна без пробоя изоляции. б - волна при пробое изоляции ( повторный, заплывающий пробой. [17]

При опытах с косоугольными волнами было обнаружено, что при подаче повторного импульса через 10 - 15 сек на пробитый участок изоляции последующие пробои не всегда происходили при напряжениях, более низких, чем напряжение первого пробоя. Иногда последующие пробои имели более высокое пробивное напряжение, чем первые. Это говорит о том, что за время 10 - 15 сек изоляция восстанавливает частично или полностью свою начальную прочность и последующие пробои происходят по новым или частично новым путям. [18]

Особенностью эпитаксиального слоя является однородность его структуры, в этом слое значительно уменьшается вероятность возникновения дефектов структуры, представляющих собой ловушки для носителей. В эпитаксиальном слое можно реализовать более высокое пробивное напряжение перехода коллектор - база, получить сопротивление коллектора меньшее, чем в структурах с диффузионным коллектором. Это удается потому, что эпитаксиальный слой легирован равномерно по всей толщине, в отличие от распределения концентрации легирующей примеси, получаемого диффузией. [19]

Схема эпик-метода. [20]

По сравнению с изоляцией р-п переходом диэлектрическая изоляция позволяет снизить емкость между элементами ИМС и подложкой, на порядок снизить ток утечки изоляции, в связи с чем улучшаются их частотные характеристики. Кроме того, ИМС с диэлектрической изоляцией имеют более высокое пробивное напряжение и лучшую стойкость к радиации. [21]

Если нет особых причин для применения германиевого транзистора, лучше применить кремниевый. Кремниевые транзисторы лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше, чем германиевые, обратные токи. [22]

Его изоляция толще, механически прочнее, и с более высоким пробивным напряжением, чем у провода ПВО. [23]

Глифталевые лаки применяются в кабельной промышленности для подклейки и пропитки стекловолокна при производстве проводов со стекловолокнистой изоляцией. Благодаря применению глиф-талевого связующего, стекловолокнистая изоляция приобретает значительную механическую прочность и более высокое пробивное напряжение. [24]

Глифталевыми лаками в кабельной промышленности подклеивают и пропитывают стекловолокнистую изоляцию. Благодаря глифталевому связующему, стекловолокнистая изоляция обмоточных проводов приобретает значительную механическую прочность и более высокое пробивное напряжение. [25]

К и ДБЭ удобны для использования в схемах. Коллекторный переход, наоборот, имеет более высокое пробивное напряжение, однако прямое сопротивление также велико. Изолирующий р - - переход ДКп интегрального транзистора в качестве диода не используется. [26]

Зависимость восстанавливающейся электрической прочности искрового промежутка с вращающейся дугой от пробивного напряжения при токе 3 кА длительностью 0 01 с. [27]

Дугогасящая способность ИП обычно оценивается относительной восстанавливающейся электрической прочностью Us. Пробивное напряжение ИП комбинированных ( или коммутационных) разрядников, для которых требуется максимально возможная UB. В грозовых разрядниках применяются ИП с более высоким пробивным напряжением. [28]

Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы лучше работают при высоких температурах, но более резко по сравнению с германиевыми уменьшают коэффициент усиления на низких температурах ( - 20 4 - 60 С) и при малых токах. В связи с этим для получения заданного усиления может потребоваться большое количество кремниевых транзисторов. Кремниевые транзисторы, как правило, имеют меньший частотный предел, более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше, чем германиевые, обратные токи / кво - Кроме того, качество и параметры их быстро улучшаются, в частности с применением планарной и эпитаксиальной технологии, а стоимость, поскольку запасы кремния неограниченны, непрерывно снижается. Поэтому кремниевые транзисторы более перспективны, чем германиевые. [29]

При анализе условий эксплуатации транзисторного блока основное внимание следует уделять диапазону рабочих температур. При температуре до 70 С используются германиевые транзисторы, до 100 - 120 С - кремниевые. Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше / ко. Однако их р1 более резко падает при низких температурах - ( 20 - т - 60) е С и малых токах. Кремниевые транзисторы имеют меньший частотный предел, более высокое сопротивление насыщения и большие шумы. Предельная частота транзистора определяется его типом, схемой включения ( ОЭ, ОБ, ОК), режимом по постоянному току и должна соответствовать требованиям схемы. Не следует применять высокочастотные транзисторы там, где могут работать низкочастотные. Исключение составляют случаи, когда требуется получить малые шумы. [30]

Страницы: 1 2 3