Более высокое пробивное напряжение
Cтраница 3
Натуральный шелк в виде нитей применяют в производстве тончайших обмоточных проводов. При незначительной толщине они прочны и обладают хорошими диэлектрическими свойствами. Ткани из натурального шелка применяют для изготовления шелковых лако-тканей, отличающихся от хлопчатобумажных пониженной толщиной и более высоким пробивным напряжением. Ткани из натурального шелка применяются для изготовления шелкослюдяной ленты. [31]
Создается поток ионов от коронирующего электрода к заземленному; этот поток заряжает все минеральные частицы в межэлектродном пространстве. Заряженные-минеральные частицы двигаются к заземленному электроду и оседают на нем. В результате проводники отдают заряд, а непроводники остаются на электроде. Коронирующий электрод обычно заряжен отрицательно, так как в этом случае создается более высокое пробивное напряжение. Заряд частиц зависит от напряженности электрического поля, радиуса частицы и диэлектрической проницаемости. [32]
В последующие годы, после преодоления ряда трудностей очистки монокристаллического кремния, были созданы кремниевые транзисторы. Кремний обладает большей шириной запрещенной зоны. Поэтому кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах ( до 125 С), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения. На кремниевых монокристаллах относительно просто можно создать слой диоксида кремния, который обладает маскирующими свойствами, при диффузии легирующих примесей в кремний. [33]
Электроды чаще всего изготовляют из никеля с присадкой марганца. Этот сплав имеет высокую температуру плавления ( 1450 С), хорошо сопротивляется окислению при работе двигателя на неэтилированном бензине и не требует особенно высокого пробивного напряжения. При высокой температуре никель обладает способностью ионизировать искровой промежуток, чем и объясняется снижение требуемого пробивного напряжения. В качестве материала для электродов используют также сплавы железа с хромом; такие сплавы более устойчивы в отношении коррозии, чем никель, однако для них нужно более высокое пробивное напряжение. [34]
 |
Вольтамперные характеристики идеального и реального р-п-переходов. [35] |
Процесс лавинного размножения, кроме того, сопровождается характерными шумами. Лавинный пробой происходит в некоторых отдельных частях р-п-переходов - часто вблизи дефектов, например дислокаций. В таких локализованных точках с высокой плотностью тока наблюдается яркое свечение. Некоторые из этих локальных пробивных процессов нестабильны, и их можно рассматривать как источники шумов. Лавинное размножение в таких переходах также наблюдается, но при более высоких пробивных напряжениях. [36]
 |
Средняя. пр гибкого слюдинита. [37] |
Наличие подложки обеспечивает слюдини, ту более высокий предел прочности при растяжении и предохраняет материал при различных технологических операциях от расслаивания. В отличие от гибкого миканита все марки гибкого слюдинита спрессованы при нагреве. Слюдинит не должен иметь трещин, расслоений, разрывов слюдинитовой бумаги и посторонних включений, кроме точечных включений, обусловленных минеральными включениями слюды мусковит. У оклеенного слюдинита стеклопод-ложка не должна отслаиваться; на поверхности не должно быть морщин и складок, выходяших по толщине за пределы допускаемых отклонений в отдельных точках. Проверку на расслаи-ваемость проводят путем нарезки слюдинита на пластинки прямоугольной формы размером 100x5 мм, при этом полоски не должны расслаиваться более чем на 25 % по их длине. В отличие от гибких миканитов и стекломиканитов гибкие слюдиниты характеризуются значительно меньшими допусками по толщине и более высоким пробивным напряжением. [38]
В первом случае исток и затвор располагаются на верхней стороне кристалла, а сток - на нижней. Для горизонтальной ячейки характерен планарныи вариант расположения всех основных выводов - сверху кремниевой пластины. В настоящее время все высоковольтные ОМДП-транзисторы изготавливаются только с вертикальной структурой. Для вертикального варианта обратная сторона подложки служит контактом к области стока. На подложке выращивается высокоомный эпитаксиальныйлГ - слой, после чего с помощью операций окисления, маскирования и травления переходят к диффузионным процессам по созданию р-области канала и высоколегированного л - истока. В горизонтальной структуре проводится также диффузия области л - стока. Затем следует заключительная операция металлизации соответствующих выводов. При сравнительно одинаковой технологии изготовления ЭМДП - и УМДП-транзисторов вертикального типа первые, как правило, имеют более высокое пробивное напряжение, а вторые более низкое сопротивление канала в открытом состоянии. Это связано с тем, что инверсионный слой в р-области ОМДП-транзистора расположен в горизонтальной плоскости, тогда как у V-образного транзистора - под некоторым углом, что уменьшает толщину эпитаксиального слоя, определяющего параметры пробивного напряжения и сопротивления открытого ключа. [39]
Страницы: 1 2 3