Коллекторное напряжение - транзистор
Cтраница 2
Диоды VD1 - VD4 служат для согласования уровня коллекторного напряжения транзистора VT3 и потенциала базы выходного транзистора по постоянному току. [16]
Амплитуда снимаемых с коллекторов обоих транзисторов триггера напряжений почти вдвое может превышать предельно допустимые коллекторные напряжения транзисторов, применяемых в триггере. Наличие напряжений взаимопротивоположной полярности на коллекторах закрытых транзисторов позволяет, в частности, осуществлять весьма экономичную и простую индикацию состояний устойчивого равновесия триггера с помощью неоновых ламп, включаемых no - следовательно с ограничительным сопротивлением между коллекторами обоих транзисторов. [17]
В течение первого этапа диод остается запертым и открывается только тогда, когда коллекторное напряжение транзистора Т1 упадет почти до нуля, а потенциал анода диода Д сравняется с потенциалом на его катоде. [18]
Как отразится на средней величине емкости двух последовательно и согласно включенных варикапов увеличение коллекторного напряжения транзистора ЛГ. [19]
Таким образом, подавая на вход эмиттерного повторителя исследуемое н-апряжение, можно сдвигать срез импульсов коллекторного напряжения транзистора Гз - Смещение среза импульсов пропорционально мгновенному значению исследуемого напряжения. [20]
Широтно-импульсный модулятор ШИМ, задающий продолжительность горения силовых вентилей, выполнен на основе двух ждущих мультивибраторов с раздельными коллекторными напряжениями транзисторов. Такая схема позволяет получить практически любой диапазон изменения относительной продолжительности выходных импульсов. Продолжительность импульсов, вырабатываемых ШИМ, зависит от алгебраической суммы задающего напряжения U3, получаемого от схемы сравнения СС, и напряжения тахогенератора ТГ, при помощи которого в системе осуществляется отрицательная обратная связь по скорости. [21]
Резистор 10 кОм, соединенный с базой транзистора ТЗ, удерживает этот транзистор в открытом состоянии, если коллекторное напряжение транзистора Т2 велико. Схема переключения - да тех пор поддерживает это состояние, пока на базу какого-либо транзистора не поступит управляющий сигнал соответствующей полярности. [22]
Входное напряжение усилителя, как известно, зависит от выбора рабочей точки транзисторов первого каскада, а следовательно, и от коллекторного напряжения транзисторов. Даже при среднем значении напряжения коллекторного источника при непосредственной связи между каскадами возникают определенные проблемы, затрудняющие обеспечение нормального рабочего режима транзисторов в последующих каскадах. Включение резистора в цепь эмиттера транзисторов для согласования, каскадов по постоянному току настолько сильно снижает коэффициент усиления, что этот метод в ИМС не находит практического применения. [24]
Если напряжение на конденсаторе С2 упало настолько, что уже не может открыть транзисторы Т2, Т4 и Т5, то возрастает коллекторное напряжение транзистора 75, а его коллекторный ток уменьшается. При правильном расчете базового резистора транзистора ТЗ ( 56 кОм) этот транзистор открывается, когда его коллекторное напряжение увеличивается до 0 5 В, и подает на базу транзистора Т4 положительное напряжение. При кратковременном коротком замыкании коллекторный ток ограничивается до 3 А. [25]
Блокинг-генератор на электронно-управляемой лампе аналогичен рассмотренному блокинг-генератору на транзисторе, но позволяет получать импульсы с большей амплитудой, так как анодное напряжение ламп выше коллекторного напряжения транзисторов. Кроме того, с помощью блокинг-генератора на электронно-управляемой лампе можно получать импульсы большей скважности и стабильности, так как сопротивление вакуумного промежутка сетка - катод закрытой лампы в отличие от сопротивления коллекторного перехода практически бесконечно. Фронт и срез импульса, полученного с выхода блокинг-генератора на электронно-управляемой лампе, также более крутые вследствие значительно меньшей, чем в транзисторах, инерционности переходных процессов в лампе. [26]
Плечи входного каскада построены по схеме ОЭ-ОБ, причем транзисторы VT5 и VT6 схемы с ОБ по постоянному току являются повторителями базового напряжения, что позволяет поддерживать постоянным коллекторное напряжение транзисторов VT3 и VT4 дифференциального каскада. Каскодное включение транзисторов входного каскада уменьшает входную емкость ОУ. Нагрузка входного каскада термостабилнзирована транзисторами VT7 и VT8 в диодном включении. [27]
 |
Каскад с повышенным максимальным напряжением, сигнала и несимметричным выходом. [28] |
Поэтому напряжения сигнала, развиваемые обоими последовательно включенными транзисторами, складываются на сопротивлении RK; делитель R R i обеспечивает напряжение сигнала на входе верхнего транзистора, необходимое для полного использования его коллекторного напряжения при сигнале на входе нижнего транзистора, соответствующем полному использованию коллекторного напряжения нижнего транзистора. [29]
 |
Каскад с повышенным максимальным напряжением сигнала и несимметричным выходом. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5