Коллекторное напряжение - транзистор
Cтраница 5
В данном случае, как и в предыдущем, сопротивление нагрузки коллектора зависит от сопротивлений логической схемы. Для малого времени нарастания, когда TI закрывается, вводится дополнительное сопротивление ( фиг. Когда транзистор Т2 открыт, а Т ] и соответствующие транзисторы, подключенные ко входам Дз и Д3 закрыты, величина снижения коллекторного напряжения транзистора TI должна быть достаточна лишь для надежного закрывания диода Д Как и Ъ схеме р - п - р, источник ограничения коллекторного напряжения 2 5 в вполне пригоден. [61]
Для получения выходного импульса на вход схемы должен поступать импульс запуска положительной полярности. Это уменьшение напряжения передается на базу транзистора Ti, который начинает запираться, вследствие чего падение напряжения на резисторе R, уменьшается, а коллекторное напряжение транзистора Тг возрастает. [62]
Если отрицательное напряжение базы транзистора Т ] не больше - 0 1 0, TI закрывается. Поэтому его напряжение начинает падать до - Vc, но ограничивается переходом эмиттер - база транзистора Та, действующим как диод. Ток величиной около 1 ма, потребляемый R, отдается базой транзистора Т %, который поэтому быстро открывается. Коллекторное напряжение транзистора Т2 становится равным - 0 01 в, и Т3 закрывается. Таким образом, соседние транзисторы в подобной цепочке всегда находятся в противоположных состояниях. Открытые транзисторы увеличивают напряжение управляемых баз приблизительно до 0, что достаточно для их надежного закрывания. Сопротивления нагрузки закрытых транзисторов снимают ток с баз соседних транзисторов, тем самым открывая их. Величина напряжения - Vc не имеет существенного значения, поскольку она должна лишь значительно превышать изменение напряжения на коллекторе ( приблизительно - 0 4 в), чтобы сопротивления нагрузки можно было бы считать источниками постоянного тока. Эти постоянные токи нагрузки переключаются между коллекто: рами и базами, поэтому такая цепь часто рассматривается как прибор токового типа. [63]
В транзисторных генераторах с самовозбуждением частотную модуляцию легко осуществить, используя междуэлектродные динамические емкости транзистора. Наиболее широко для этой цели используется переменная емкость коллекторного перехода Ск. Вторичная обмотка модуляционного трансформатора МТр включена последовательно в цепь эмиттера. Входное напряжение с частотой fK изменяет коллекторное напряжение транзистора и, следовательно, величину емкости коллектор - база. Резистор Rl уменьшает нелинейность входной характеристики транзистора, дроссель Др изолирует эмиттер от базы по высокой частоте, Ср - разделительный конденсатор. [64]
Напряжение на выходе 1 / вых будет близко к нулю. При подаче достаточного отрицательного напряжения Uy 2 Ucp на вход транзистора VT1 последний начнет открываться, его коллекторное напряжение снизится, что приведет к запиранию транзистора VT2 напряжением смещения 1 / см. А это повлечет за собой скачкообразное увеличение коллекторного напряжения транзистора VT2, которое через резистор R2 попадет на базу транзистора VT1 и обеспечит его переход в насыщенное состояние. Параметры схемы рассчитаны так, что одного только коллекторного напряжения транзистора VT2 недостаточно для удержания транзистора VT1 в насыщенном состоянии. Поэтому, как только входной сигнал уменьшится до значения Uy 1 / отп, транзистор VT1 выйдет из состояния насыщения, напряжение коллектора попадет через резистор R1 на базу транзистора VT2 и откроет его. [65]
Определена оптимальная с точки зрения максимальной относительной перестройки частоты степень связи варикапа - управителя частоты - с колебательной системой автогенератора при заданном уровне выходной мощности автогенератора. Эквивалентное затухание колебательной системы с учетом шунтирующего действия транзистора и варикапа считается заданным. Выяснено, что при относительно больших уровнях выходной мощности максимальная перестройка получается при амплитуде напряжения на варикапе, равной примерно трети пробивного напряжения варикапа. При меньших уровнях мощности, а также при большом коллекторном напряжении транзистора амплитуду напряжения на варикапе следует снижать по сравнению е этой величиной. Приведены соотношения, позволяющие разграничить упомянутые три случая. [66]
 |
Схема кнопочной на - чателем, как показано на 83. Подстроечные стройки резисторы служат для установки настройки на же. [67] |
В данном приемнике применена система ФАПЧ с интегрирующим фильтром, образованным резистором R5 и емкостью варикапов матрицы, включенных для постоянного тока параллельно. Частота среза этого фильтра достаточно высока ( более 60 кГц), поэтому никаких проблем с устойчивостью петли не возникает. Более того, при сильных сигналах происходит непосредственный зажват колебаний гетеродина сигналом, что уменьшает фазовый сдвиг в петле на высоких частотах и делает систему стабильной. При строгой симметрии гетеродина прямой захват был бы затруднен, поскольку транзисторы дифференциальной пары микросхемы открываются гетеродинным напряжением противо-фазно, а входной сигнал изменяет их ток в фазе. Поэтому оказываются разными коллекторные напряжения транзисторов и емкости их коллекторных переходов. При этом действие прямого захвата складывается с действием петли ФАПЧ, облегчая синхронизацию гетеродина. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5