Cтраница 1
Межэлектродное напряжение на вентиле в проводящую часть периода называется прямым напряжением, или падением напряжения на вентиле, а напряжение в непроводящую часть периода называется обрат-нымнапряжением. Обратное напряжение на вентиле зависит от схемы соединения вентилей в выпрямителе. Зависимости для обратного напряжения различных схем приводятся ниже. [1]
Межэлектродные напряжения насыщенного транзистора пренебрежимо малы по сравнению с напряжениями источников питания. Еб 1 5 в превышает прямое напряжение UQ a только в три - пять раз. [2]
![]() |
Зависимость межэлектродных напряжений насыщенного ключа от токов и степени насыщения. [3] |
Весьма малые межэлектродные напряжения насыщенного транзистора обычно позволяют считать его эквипотенциальной точкой, что существенно упрощает статический анализ многих импульсных схем. На рис. 14 - 5, а в качестве примера показана обобщенная схема транзисторного ключа с источниками смещения и сопротивлениями в цепях всех трех электродов. [4]
Зависимость межэлектродных напряжений насыщенного ключа от токов и степени насыщения. [5]
Рассмотрим теперь зависимость межэлектродных напряжений насыщенного транзистора от заданных токов. [6]
Начиная от значений N 3 - - 5 и выше, межэлектродные напряжения мало зависят от тока базы, поэтому более высокие степени насыщения обычно нецелесообразны. [7]
![]() |
Зависимость межэлектродных напряжений насыщенного ключа от токов и степени насыщения. [8] |
Начиная от значений N 3 - т - 5 и выше, межэлектродные напряжения мало зависят от тока базы. Поэтому более высокие степени насыщения обычно нецелесообразны. [9]
![]() |
Входная характеристика триггера. [10] |
Как известно, насыщенный триод в большинстве схем можно считать узловой точкой, пренебрегая небольшими межэлектродными напряжениями. [11]
![]() |
Зависимость прямого сопротивления МОП-транзистора от напряжения затвор-исток.| Схема ключа на КМОП-транзисторах. [12] |
Сопротивление Rnp достигает наименьшего значения при максимальном по абсолютному значению напряжении на затворе, которое ограничивается допустимым межэлектродным напряжением. При изменении напряжения мвх меняется значение напряжения затвор-исток, что и приводит к модуляции проводимости канала входным сигналом и возникновению дополнительных ошибок в передаче сигнала на нагрузку. [13]
![]() |
Пакет лампы ГУ-50 на ножке. [14] |
Это вызвано как возрастанием мощности, выделяемой на аноде, так и тем, что генераторные лампы работают при более высоких межэлектродных напряжениях. [15]